今年，每兩年一屆的全國寬禁帶半導體學術會議（WBSC）迎來了第四屆，將于2021年10月12-15日在美麗的鷺島廈門舉辦。由廈門大學校長張榮教授與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟吳玲理事長共同擔任大會主席。同時，邀請了強大的顧問委員會、程序委員會、組織委員會專家團。

 

據(jù)了解，本屆大會以“芯動力·新征程--寬禁帶半導體的機遇與挑戰(zhàn)”為主題，屆時，強大的專家團隊將與來自國內寬禁帶半導體領域學術界、產(chǎn)業(yè)界的專家學者、科研技術人員、院校師生、企業(yè)家代表們一道，圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關設備研發(fā)等領域開展廣泛交流，促進產(chǎn)學研用的交流合作。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。

 

據(jù)組委會透露，大會顧問委員會專家、中科院院士江風益已經(jīng)確認將出席會議，并帶來題為“Si基GaN半導體發(fā)光”的大會報告。

 

江風益是中國科學院院士，南昌大學黨委委員、副校長、教授，國家硅基LED工程技術研究中心主任。半導體照明技術創(chuàng)新團隊帶頭人（科技部、教育部），獲中組部、中宣部、人事部和科技部聯(lián)合授予"杰出專業(yè)技術人才"稱號。他在硅基氮化鎵LED方向取得了開拓性、系統(tǒng)性、創(chuàng)造性成就，帶領團隊在國際上率先研制成功高光效硅基氮化鎵藍光、綠光和黃光LED材料與芯片，并實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，獲國家技術發(fā)明獎一等獎和全球半導體照明年度新聞獎。也是世界紅光和黃光出光效率的保持者。

 

寬禁帶半導體材料GaN作為第三代半導體材料具有傳統(tǒng)半導體材料所不具備的優(yōu)異性能，硅基氮化鎵功率器件具有擊穿電壓高，工作溫度高和工作頻率高等優(yōu)異性能，是電力電子領域極為理想的半導體器件，現(xiàn)已成為國際半導體領域的研究熱點之一。本屆大會上，一直堅持走在科研前線的江風益院士將與業(yè)界分享關于Si基GaN半導體發(fā)光的最新研究成果，敬請期待！

目前大會征文及報名工作正有序進行中，論文摘要提交將于8月10日截止，報名繳費優(yōu)惠將于9月10日截止。歡迎相關領域的專家、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流！