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南京大學王欣然教授課題組:在二維半導體領域取得關鍵突破

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2021-09-17 來源:南京大學瀏覽次數(shù):1444
近期,南京大學電子科學與工程學院王欣然教授課題組,同天馬微電子股份有限公司等單位合作,研究突破了二維半導體單晶制備和異質(zhì)集成關鍵技術,為未來Micro-LED顯示技術發(fā)展提供了全新技術路線。同時,二維半導體從水平和垂直兩個維度,為延續(xù)摩爾定律提供了可能的技術方向,對推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。
 
二維半導體材料,以過渡金屬硫族化合物(TMDC)為代表,具有極限厚度、高遷移率和后端異質(zhì)集成等特點,有望延續(xù)摩爾定律并實現(xiàn)三維架構的集成電路,因此受到了學術界和工業(yè)界的關注。經(jīng)過近十年的發(fā)展,二維電子學已經(jīng)取得了巨大進步,但在大面積單晶制備、關鍵器件工藝、與主流半導體技術兼容性等方面仍存在挑戰(zhàn)。南京大學電子科學與工程學院王欣然教授課題組聚焦上述問題,研究突破二維半導體單晶制備和異質(zhì)集成關鍵技術,為后摩爾時代集成電路的發(fā)展提供了新思路。相關研究成果近期連續(xù)發(fā)表在Nature Nanotechnology上。
 
腳踏實地
構筑“原子梯田”
突破二維半導體單晶外延
 
半導體單晶材料是微電子產(chǎn)業(yè)的基石。與主流的12寸單晶硅晶圓相比,二維半導體的制備仍停留在小尺寸和多晶階段,開發(fā)大面積、高質(zhì)量的單晶薄膜,是邁向二維集成電路的第一步。然而,二維材料的生長過程中,數(shù)以百萬計的微觀晶粒隨機生成,只有控制所有晶粒保持嚴格一致的排列方向,才有可能獲得整體的單晶材料。
 
藍寶石是半導體工業(yè)界廣泛使用的一種襯底,在規(guī)?;a(chǎn)、低成本和工藝兼容性方面具有突出的優(yōu)勢。合作團隊提出了一種方案,通過改變藍寶石表面原子臺階的方向,人工構筑了原子尺度的“梯田”。利用“原子梯田”的定向誘導成核機制,實現(xiàn)了TMDC的定向生長?;诖嗽恚瑘F隊在國際上首次實現(xiàn)了2英寸MoS2單晶薄膜的外延生長。得益于材料質(zhì)量的提升,基于MoS2單晶制備的場效應晶體管遷移率高達102.6 cm2/Vs,電流密度達到450 μA/μm,是國際上報道的最高綜合性能之一。同時,該技術具有良好的普適性,適用于MoSe2等其他材料的單晶制備,該工作為TMDC在集成電路領域的應用奠定了材料基礎。
 
南京大學

仰望星空
二維半導體為未來顯示技術帶來光明
 
大面積單晶材料的突破使得二維半導體走向應用成為可能。在第二個工作中,電子學院合作團隊基于第三代半導體研究的多年積累,結(jié)合最新的二維半導體單晶方案,提出了基于MoS2 薄膜晶體管驅(qū)動電路、單片集成的超高分辨Micro-LED顯示技術方案。
 
Micro-LED是指以微米量級LED為發(fā)光像素單元,將其與驅(qū)動模塊組裝形成高密度顯示陣列的技術。與當前主流的LCD、OLED等顯示技術相比,Micro-LED在亮度、分辨率、能耗、使用壽命、響應速度和熱穩(wěn)定性等方面具有跨代優(yōu)勢,是國際公認的下一代顯示技術。然而,Micro-LED的產(chǎn)業(yè)化目前仍面臨諸多挑戰(zhàn)。首先,小尺寸下高密度顯示單元的驅(qū)動需求難以匹配。其次,產(chǎn)業(yè)界流行的巨量轉(zhuǎn)移技術在成本和良率上難以滿足高分辨率顯示的發(fā)展需求。特別對于AR/VR等超高分辨應用,不僅要求分辨率超過3000PPI,而且還需要顯示像元有更快的響應頻率。
 
合作團隊瞄準高分辨率微顯示領域,提出了MoS2 薄膜晶體管驅(qū)動電路與GaN基Micro-LED顯示芯片的3D單片集成的技術方案。團隊開發(fā)了非“巨量轉(zhuǎn)移”的低溫單片異質(zhì)集成技術,采用近乎無損傷的大尺寸二維半導體TFT制造工藝,實現(xiàn)了1270 PPI的高亮度、高分辨率微顯示器,可以滿足未來微顯示、車載顯示、可見光通訊等跨領域應用。其中,相較于傳統(tǒng)二維半導體器件工藝,團隊研發(fā)的新型工藝將薄膜晶體管性能提升超過200%,差異度降低67%,最大驅(qū)動電流超過200 μA/μm,優(yōu)于IGZO、LTPS等商用材料,展示出二維半導體材料在顯示驅(qū)動產(chǎn)業(yè)方面的巨大應用潛力。該工作在國際上首次將高性能二維半導體TFT與Micro-LED兩個新興技術融合,為未來Micro-LED顯示技術發(fā)展提供了全新技術路線。
 
上述工作分別以“Epitaxial growth of wafer-scale molybdenum disulfide semiconductor single crystals on sapphire”(通訊作者為王欣然教授和東南大學王金蘭教授)和“Three dimensional monolithic micro-LED display driven by atomically-thin transistor matrix”(通訊作者為王欣然教授、劉斌教授、施毅教授和廈門大學張榮教授)為題,近期在線發(fā)表于Nature Nanotechnology。該系列工作得到了江蘇省前沿引領技術基礎研究專項、國家自然科學基金和國家重點研發(fā)計劃等項目的支持,合作單位包括南京大學現(xiàn)代工程與應用科學學院、東南大學、南京工業(yè)大學、廈門大學、中科院長春光機所、天馬微電子股份有限公司、南京浣軒半導體有限公司等。
 
文章鏈接:
 
https://www.nature.com/articles/s41565-021-00963-8
 
https://www.nature.com/articles/s41565-021-00966-5
 
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