近日,第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)聯(lián)合主辦,北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。



期間,由廣東中民工業(yè)技術(shù)創(chuàng)新研究院有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司協(xié)辦支持的“Mini/Micro-LED技術(shù)“分會如期舉行。

會上,復(fù)旦大學(xué)袁澤興做了題為“通過調(diào)整量子阱數(shù)量提高Micro-LED 的外量子效率”的主題報告,與LCD和OLED相比,GaN基Micro-LED顯示器具有低功耗、高亮度和卓越的可靠性等特點,被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。然而,Micro-LED 的低外量子效率 (EQE) 仍然是制造高效Micro-LED 顯示器的一個問題。已經(jīng)有一些研究來解決這個問題,例如減少量子勢壘的厚度、使用選擇性過度生長技術(shù)和鈍化側(cè)壁缺陷,但該問題仍有待進一步解決。
研究提出了一種通過改變量子阱(QW)數(shù)量來提高Micro-LED的EQE的方法。在這項工作中,分別通過MOCVD生長了具有3、6 和10對不同量子阱 (QW) 數(shù)的綠色外延晶片。并基于這些外延片制作了直徑為80μm的綠色微型LED并進行了測量。
HR-XRD結(jié)果表明外延材料的質(zhì)量隨著QW數(shù)的增加而逐漸提高。與EQE分別為1.1% 和1.73%的3對和6對QW相比,10對的EQE在1 A/cm2 時達(dá)到 7.4%。隨著QW數(shù)量的增加,峰值波長在1 A/cm2 處顯示藍(lán)移,隨著電流密度的增加,藍(lán)移逐漸減小。預(yù)計這項工作將提供一種方法來優(yōu)化用于顯示技術(shù)的綠色微型LED的量子效率。



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