中國經(jīng)濟(jì)時(shí)報(bào)記者 郭錦輝

當(dāng)前，各主要經(jīng)濟(jì)體全力布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，力爭(zhēng)在新的產(chǎn)業(yè)格局中占據(jù)有利位置。中國工程院院士、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)主任干勇4月20日表示，化合物半導(dǎo)體是我國重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局的重要突破口，是我國在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突圍的關(guān)鍵賽道。

干勇是在當(dāng)天舉辦的2023中國光谷九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)上作上述表示的。他認(rèn)為，與集成電路相比，化合物半導(dǎo)體對(duì)下游制造環(huán)節(jié)設(shè)備的要求相對(duì)較低，投資額相對(duì)較小，能夠在一定程度上擺脫對(duì)以高精度光刻機(jī)為代表的先進(jìn)加工設(shè)備的依賴。下游應(yīng)用企業(yè)基于對(duì)供應(yīng)鏈安全的考量、國家政策支持和資本市場(chǎng)活躍也為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了很好的機(jī)遇。

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于新一輪深度調(diào)整階段。干勇表示，從國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)來看，隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時(shí)硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體材料快速崛起，未來10年將對(duì)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的重塑產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。特別是光電子產(chǎn)業(yè)正從萌芽走向成長期，民用方面支撐光纖通信網(wǎng)絡(luò)、5G通信等基礎(chǔ)的信息高速公路建設(shè)，軍事上光電子技術(shù)用于激光雷達(dá)、紅外探測(cè)、通信、激光陀螺、傳感探測(cè)等，將成為整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)中一個(gè)新的經(jīng)濟(jì)增長極。

“2022年在全球疫情、中美博弈和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周期，但在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，國際第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長超預(yù)期，進(jìn)入高速成長期。”干勇說。他認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)出明顯的應(yīng)用牽引的特點(diǎn)。一是消費(fèi)類電子產(chǎn)品、新能源汽車、5G移動(dòng)通信、高效智能電網(wǎng)等領(lǐng)域展示出廣闊的、不可替代的應(yīng)用前景，預(yù)計(jì)將形成萬億級(jí)規(guī)模的應(yīng)用市場(chǎng)。二是上游材料產(chǎn)能持續(xù)釋放且量產(chǎn)技術(shù)趨于穩(wěn)定，器件的產(chǎn)線從6英寸向8英寸發(fā)展，推動(dòng)成本大幅下降。三是隨著國產(chǎn)企業(yè)技術(shù)突圍，進(jìn)口替代空間廣闊。

干勇表示，當(dāng)前國際競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)由產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)、企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)上升為產(chǎn)業(yè)鏈之間的競(jìng)爭(zhēng)，未來2-3年是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵期，我國亟須形成有國際競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品的批量化供應(yīng)能力，需要長期持續(xù)迭代應(yīng)用提高性能，發(fā)揮我國有效市場(chǎng)和有為政府結(jié)合的優(yōu)勢(shì)，以應(yīng)用促發(fā)展，加快產(chǎn)品迭代研發(fā)，完善材料測(cè)試評(píng)價(jià)方法和標(biāo)準(zhǔn)體系，推進(jìn)國產(chǎn)材料和芯片產(chǎn)業(yè)化，培育細(xì)分領(lǐng)域國際龍頭品牌企業(yè)，提升我國產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競(jìng)爭(zhēng)力。

“半導(dǎo)體新材料、工藝和裝備這三個(gè)核心產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)協(xié)同研發(fā)創(chuàng)新是建立半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的必要途徑，需要依托國家2030重大項(xiàng)目、材料國家實(shí)驗(yàn)室、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心等項(xiàng)目和平臺(tái)，建設(shè)戰(zhàn)略定位高端、組織運(yùn)行開放、創(chuàng)新資源聚集的平臺(tái)和國家戰(zhàn)略科技力量。”干勇說。

他同時(shí)建議，未來應(yīng)該進(jìn)一步通過推動(dòng)建設(shè)多元化動(dòng)態(tài)矩陣式創(chuàng)新聯(lián)合體生態(tài)群，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)鏈、強(qiáng)研、強(qiáng)基，解決產(chǎn)學(xué)研上下游缺乏有效整合、鏈條不通暢、企業(yè)弱小散、低水平重復(fù)建設(shè)等問題，在新一輪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中發(fā)揮更大的作用。