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日程更新!中電科48所、三安、中車、泰科天潤等領(lǐng)銜碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝技術(shù)發(fā)展論壇,5月長沙召開!

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2023-04-26 瀏覽次數(shù):1466

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尊敬的各有關(guān)單位:

第三代半導(dǎo)體是實現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)、“東數(shù)西算”戰(zhàn)略和保障國家產(chǎn)業(yè)安全、經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的重要支撐。隨著5G、新能源汽車等市場發(fā)展,第三代半導(dǎo)體的需求規(guī)模保持高速增長。特別是近兩年碳化硅、氮化鎵功率器件的采用在眾多市場快速增長,覆蓋可再生能源與儲能、電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)電源、牽引和變速驅(qū)動等眾多領(lǐng)域,可帶來更小型、更輕量、更具經(jīng)濟(jì)效益的設(shè)計,并更高效率地實現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換,從而賦能不計其數(shù)的新型清潔能源應(yīng)用,在全球朝向可持續(xù)電氣化轉(zhuǎn)型中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。我國目前在以碳化硅、氮化鎵為首的第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域已經(jīng)形成了完整的產(chǎn)業(yè)鏈,從材料、裝備及工藝技術(shù)等方面也均實現(xiàn)了部分國產(chǎn)化替代,占據(jù)了一定的市場份額,但在材料、工藝與裝備一體化、大規(guī)模量產(chǎn)能力、器件性能與穩(wěn)定性等方面與國際先進(jìn)水平仍存在一定差距,要實現(xiàn)碳化硅關(guān)鍵裝備及工藝技術(shù)完全的國產(chǎn)自主可控,仍需產(chǎn)業(yè)上下游各方加強(qiáng)協(xié)作,攜手攻克難關(guān)。

為強(qiáng)化自主科技創(chuàng)新,提升核心裝備國產(chǎn)化供給能力,在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下,極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團(tuán)第四十八研究所聯(lián)合組織籌辦,擬于5月5-7日在長沙市舉辦“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”,會議圍繞 “碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”,邀請產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高??蒲性核砩钊胙杏懀瑪y手促進(jìn)國內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會組委會

2023年4月

》》組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

主辦單位

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.casmita.com)

承辦單位

中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦單位

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

中車時代電氣股份有限公司

中南大學(xué)

......

贊助支持

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

寧波恒普真空科技股份有限公司

蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

忱芯科技(上海)有限公司

蘇州博宏源機(jī)械制造有限公司

江蘇晶工半導(dǎo)體設(shè)備有限公司

蘇州德龍激光股份有限公司

北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司

布魯克(北京)科技有限公司

山東海金石墨科技有限公司

湖南德智新材料有限公司

浙江凱威碳材料有限公司

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司

浙江飛越機(jī)電有限公司

中電科風(fēng)華信息裝備股份有限公司

吉永商事株式會社

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司

北京媯水科技有限公司

昂坤視覺(北京)科技有限公司

山西中電科新能源技術(shù)有限公司

......

》》主題方向

1、宏觀趨勢與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

·碳化硅全球發(fā)展趨勢、現(xiàn)狀及應(yīng)用前景;

·國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策分析、產(chǎn)業(yè)需求研判;

·國產(chǎn)裝備現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展痛點及未來展望;

·資金、人才、技術(shù)、市場等關(guān)鍵要素分析;

2、技術(shù)方向與產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)

·碳化硅晶體生長、加工工藝及相關(guān)裝備技術(shù);

·外延材料生長、芯片制造等核心工藝技術(shù)及裝備

·封裝材料、工藝及裝備技術(shù);

·氮化鎵、氧化鎵等新型半導(dǎo)體材料、工藝和裝備;

3、產(chǎn)業(yè)配套及供應(yīng)鏈

·襯底、外延、器件等設(shè)計軟件及檢測裝備;

·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝裝備協(xié)同優(yōu)化;

·產(chǎn)品性能/良率/可靠性等要素分析與改進(jìn);

·生產(chǎn)流程控制、工藝優(yōu)化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新;

4、規(guī)模應(yīng)用與市場探索

·車用碳化硅/氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展;

·碳化硅功率器件技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景;

·產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求;

·市場動力、核心競爭力塑造與面臨挑戰(zhàn)。

》》時間地點

2023年5月5-7日

湖南·長沙·圣爵菲斯大酒店

》》日程安排(具體報告陸續(xù)更新中)

》》開幕大會日程安排

時間

主要安排

5月5日

09:00-19:00

報到&資料領(lǐng)取

13:30-17:30

開幕大會+圓桌對話

18:00-21:00

歡迎晚宴

5月6日

09:00-12:00

分論壇1:碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)

論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體

12:00-13:30

午餐&交流

13:30-17:30

分論壇1:碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)

論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體

18:30-20:30

晚餐&結(jié)束

5月7日

09:00-12:00

商務(wù)考察活動&返程

(中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所或泰科天潤或湖南三安半導(dǎo)體)

備注:僅供參考,以現(xiàn)場為準(zhǔn)。

開幕大會

時間:5月5日 • 下午14:00-17:30

地點:圣爵菲斯大酒店 • 歡城 • 三層宴會C廳

14:00-14:05

嘉賓介紹

14:05-14:15

領(lǐng)導(dǎo)/嘉賓致辭

大會主旨報告

14:15-14:45

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體技術(shù)趨勢及進(jìn)展

趙璐冰——第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長

/ 丁榮軍——中國工程院院士、中車集團(tuán)首席科學(xué)家

14:45-15:15

碳化硅器件微型化現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

張清純——復(fù)旦大學(xué)教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、清純半導(dǎo)體董事長

15:15-15:45

碳化硅材料技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與新趨勢

彭同華——北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司董事、常務(wù)副總經(jīng)理

15:45-16:00

茶歇

16:00-16:30

當(dāng)前碳化硅項目到底要建多大的線?再分析碳化硅行業(yè)規(guī)?;l(fā)展的謎題與難題

陳  彤——泰科天潤董事長

16:30-17:00

碳化硅芯片制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢及國產(chǎn)化進(jìn)展

鞏小亮——中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任

19:00-21:00

歡迎晚宴

 

 

平行論壇1:碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)

時間:5月6日 • 09:00-12:00,14:00-17:30

地點:圣爵菲斯大酒店 • 歡城 • 三層宴會C廳

主持人

劉朝輝  

國家新能源汽車中心

09:00-09:20

SiC MOS器件可靠性制造技術(shù)及裝備

王德君——大連理工大學(xué)教授

09:20-09:40

SiC MOSFET器件及其應(yīng)用研究的思路和探索

王  俊——湖南大學(xué)超大功率半導(dǎo)體研究中心主任,教授

09:40-10:00

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈挑戰(zhàn)

湖南三安半導(dǎo)體

10:00-10:20

適配xEV動力域控制器的SIC電機(jī)控制器

陳文杰——陽光動力電控研發(fā)中心總監(jiān)

10:20-10:35

茶歇

主持人

尹韶輝

湖南大學(xué)教授

10:35-10:55

碳化硅長晶爐石墨熱場結(jié)構(gòu)的國產(chǎn)化探索

趙麗麗——哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長

10:55-11:15

碳化硅單晶用碳化鉭技術(shù)(TBD)

恒普真空

11:15-11:35

SIC晶圓全制程質(zhì)量控制解決方案

鄒偉金——蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理

11:35-11:55

碳化硅6/8英寸高產(chǎn)能外延解決方案

方子文——AIXTRON SE中國區(qū)副總經(jīng)理

11:55-12:15

先進(jìn)拋光技術(shù)助力量產(chǎn)型大尺寸碳化硅制造

孫占帥——北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司工藝部部長

11:55-14:00

午餐

主持人

 

湖南大學(xué)教授

14:00-14:20

碳化硅器件與水冷散熱器的低溫直連技術(shù)探索

梅云輝——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院院長

14:20-14:40

高性能功率器件封裝互連方法研究

朱文輝 中南大學(xué)特聘教授

14:40-15:00

國產(chǎn)化碳化硅注入機(jī)發(fā)展情況

羅才旺——北京爍科中科信電子裝備有限公司副總經(jīng)理

15:00-15:20

碳化硅功率半導(dǎo)體模塊精準(zhǔn)動靜態(tài)特性與可靠性測試解決方案

陸  熙——忱芯科技(上海)有限公司技術(shù)總監(jiān)

15:20-15:40

電力電子領(lǐng)域?qū)捊麕О雽?dǎo)體外延技術(shù)進(jìn)展

蘆偉立——中國電子科技集團(tuán)第十三研究所SIC外延主管

15:40-15:55

茶歇

主持人

潘堯波

中電化合物半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理

15:55-16:15

碳化硅功率半導(dǎo)體模塊精準(zhǔn)動靜態(tài)特性與可靠性測試解決方案

陸  熙——忱芯科技(上海)有限公司技術(shù)總監(jiān)

16:15-16:25

碳化硅外延核心技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用

孔令沂——杭州海乾半導(dǎo)體有限公司董事長

16:25-16:45

半導(dǎo)體設(shè)備用SiC部件材料開發(fā)及應(yīng)用

余盛杰——湖南德智新材料有限公司CTO

16:45-17:05

碳化硅同質(zhì)外延層厚度無損紅外反射光譜法測試分析

雷浩東——布魯克(北京)科技有限公司應(yīng)用工程師

17:05-17:25

碳化硅晶圓減薄裝備技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

尹韶輝——湖南大學(xué)教授

 

平行論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體

時間:5月6日 • 09:00-12:00,14:00-17:30

地點:圣爵菲斯大酒店 • 歡城 • 三層國際會議廳

主持人

謝自力

南京大學(xué)教授

09:00-09:20

原位集成亞波長光學(xué)結(jié)構(gòu)micro-LEDs器件研究

汪煉成——中南大學(xué)教授

09:20-09:40

氮化鎵基光通信技術(shù)及應(yīng)用

陳雄斌——中科院半導(dǎo)體研究所研究員

09:40-10:00

氮化物半導(dǎo)體數(shù)字混晶與極化誘導(dǎo)二維空穴氣

王  科——南京大學(xué)教授

10:00-10:20

分子束外延設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展及展望

陳峰武——湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司科技部部長

10:20-10:35

茶歇

10:35-10:55

GaN功率電子器件的物理建模與制備研究

張紫輝——河北工業(yè)大學(xué)教授

10:55-11:15

氮化鎵射頻芯片工藝和封裝技術(shù)

王  琮——哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授

11:15-11:35

原位AlGaN插入層降低InGaN  LED漏電流

李陽鋒——湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院(集成電路學(xué)院)助理教授

11:35-11:55

氮化鎵基LED(TBD)

季  輝——湘能華磊光電股份有限公司總工程師

11:55-14:00

午餐

主持人

汪煉成

中南大學(xué)教授

14:00-14:20

下一代半導(dǎo)體——氧化鎵之管見

夏長泰——中國科學(xué)院上海光機(jī)所研究員

14:20-14:30

氧化鎵材料研究進(jìn)展及發(fā)展思考

張勝男——中國電子科技集團(tuán)第四十六所高級工程師

14:30-14:50

基于LPCVD生長六方氮化硼薄膜的特性及應(yīng)用研究

李  強(qiáng)——西安交通大學(xué)副教授

14:50-15:10

氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

張洪良——廈門大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院教授

15:10-15:30

氧化鎵單晶生長及缺陷研究

穆文祥——山東大學(xué)新一代材料研究院副教授

15:30-15:45

茶歇

15:45-16:05

III-V族化合物納米半導(dǎo)體陣列的選區(qū)外研生長及探測應(yīng)用

袁小明——中南大學(xué)物理電子學(xué)院副教授

16:05-16:25

金剛石技術(shù)(TBD)

彭  燕——山東大學(xué)副教授

16:25-16:45

金剛石(

魏秋平——中南大學(xué)教授

16:45-17:05

氧化鎵光電探測器研究進(jìn)展

趙曉龍/龍世兵——中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院

17:05-17:25

氧化鎵的可控?fù)诫s與性能調(diào)控

胡 偉——湖南大學(xué)新一代半導(dǎo)體研究院副教授

》》擬參會單位

山東天岳,天科合達(dá),河北同光,山西爍科晶體,南砂晶圓,東莞天域,英飛凌,安森美, 瀚天天成,瞻芯電子,清純半導(dǎo)體,蔚來汽車,中南大學(xué),湖南大學(xué),基本半導(dǎo)體,士蘭微,高意半導(dǎo)體,中科院半導(dǎo)體所,中科院物理所,武漢大學(xué),武漢理工大學(xué),國防科技大學(xué),AIXTRON SE, 中電科四十六所,中電科二所,中電科十三所,中電科五十五所,晶越半導(dǎo)體,小鵬汽車,山東大學(xué),理想汽車,長安汽車、超芯星,中電化合物,世紀(jì)金光,浙江大學(xué),西安交通大學(xué),復(fù)旦大學(xué)、海乾半導(dǎo)體、富士電機(jī)、三菱電機(jī).....

》》更多報主題安排

平行論壇報告主題安排

1.第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)

2.第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備的現(xiàn)狀及國產(chǎn)化思考

3.碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備及國產(chǎn)化進(jìn)展

4.SiC器件和模塊的最新進(jìn)展

5.第三代半導(dǎo)體材料外延生長裝備現(xiàn)狀及展望

6.碳化硅涂層石墨盤技術(shù)

7.8英寸碳化硅單晶進(jìn)展

8.國產(chǎn)MBE 設(shè)備進(jìn)展

9.SiC襯底制備技術(shù)現(xiàn)狀、趨勢及工藝研究

10.SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求

11.SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備研發(fā)

12.SiC MOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計

13.激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展

14.先進(jìn)碳化坦涂層技術(shù)

15.車用碳化硅技術(shù)進(jìn)展

16.銀燒結(jié)設(shè)備技術(shù)

17.SiC高溫?zé)崽幚碓O(shè)備及工藝應(yīng)用

18.激光退火技術(shù)

19.SiC外延裝備及技術(shù)進(jìn)展

20.碳化硅離子注入設(shè)備技術(shù)

21.SiC晶體生長、加工技術(shù)和裝備

22.拋光裝備國產(chǎn)化之路

23.8寸碳化硅外延制備技術(shù)

24.8寸碳化硅襯底技術(shù)進(jìn)展

25.第三代半導(dǎo)體材料生長裝備與工藝自動化

26.化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案

27.GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展

28.Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究

29.GaN晶片的光電化學(xué)機(jī)械拋光加工

30.第三代半導(dǎo)體材料加工設(shè)備及其智能化

31.激光技術(shù)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

32.碳化硅單晶生長用石墨技術(shù)

33.碳化硅/氧化鎵等缺陷檢測

34.碳化硅基氮化鎵HEMT技術(shù)

35.金剛石半導(dǎo)體技術(shù)

36.碳化硅半導(dǎo)體功率器件測試方案

37.碳化硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展及裝備需求

38.光隔離探頭測試技術(shù)

39.電子特氣在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用

40.金剛石單晶生長技術(shù)

41.SiC單晶制備與裝備研發(fā)進(jìn)展

42.半導(dǎo)體電子特氣國產(chǎn)化進(jìn)展

43.半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展

44.碳化硅IGBT 技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用前景

45.車用氮化鎵器件技術(shù)進(jìn)展

46.第三代半導(dǎo)體二手設(shè)備市場現(xiàn)狀與存在問題

47.硅基氮化鎵MOCVD設(shè)備技術(shù)進(jìn)展及趨勢

48.氧化鎵單晶/襯底外延及功率器件技術(shù)

備注:以上部分報告主題僅供參考,報告嘉賓正陸續(xù)確認(rèn)中,后續(xù)將集中公布。

》》注冊報名:

1、注冊費2500元,4月29日前注冊報名2200元(含會議資料袋,5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐)。企業(yè)展位預(yù)定中,請具體請咨詢。

2、交通費、住宿費等自理。

》》展覽展示

為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)充分展示交流,組委會開辟出少量展示席位,數(shù)量有限,預(yù)訂從速。詳情可咨詢會議聯(lián)系人。

》》繳費方式

1、通過銀行匯款

開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號:336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

2、線上注冊繳費

長沙在線注冊二維碼

備注:在線注冊平臺注冊請務(wù)必填寫正確,以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。

3、現(xiàn)場繳費(接受現(xiàn)金和刷卡)

4、收款單位:本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司”作為會議唯一收款單位。

》》報告及論文發(fā)表聯(lián)系:

Frank 賈:18310277858,jiaxl@casmita.com

》》會議報名/參展/贊助咨詢:

賈先生:18310277858,jiaxl@casmita.com

張女士:13681329411,zhangww@casmita.com

張先生:18601159985,zhangtk@casmita.com

》》協(xié)議酒店:

會議酒店: 長沙圣爵菲斯大酒店

酒店地址:湖南省長沙市開福區(qū)三一大道471號

協(xié)議房價:

·五星酒店房間:大/ 雙 床房 含雙早  468元/晚

·三星酒店房間:大/雙 床房 含雙早  258元/晚

(備注:三星酒店單獨用餐區(qū)用早餐,不能享用酒店健身房和游泳池,具體可咨詢酒店聯(lián)系人)

預(yù)訂聯(lián)系人:李子都 圣爵菲斯大酒店營銷經(jīng)理

電話:14726987349

郵箱:136379346@qq.com

備注:預(yù)定客房時提“碳化硅”或“半導(dǎo)體會議”均可享受協(xié)議價格。

 
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