成果名稱：采用MOCVD制備的銻化物紅外探測(cè)器

成果來源：蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

成果介紹：

成果（項(xiàng)目）簡(jiǎn)介銻化物超晶格紅外探測(cè)器主要用于紅外成像，氣體探測(cè)，目標(biāo)識(shí)別，資源探測(cè)等領(lǐng)域。本項(xiàng)目采用工業(yè)界主流的III-V半導(dǎo)體制備技術(shù)金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積MOCVD生產(chǎn)InAs/GaSb 超晶格探測(cè)器，并建立了從器件設(shè)計(jì)-材料外延-芯片制造的成熟鏈條，可提供高性能中波、長(zhǎng)波、雙色的外延片和芯片。成果（項(xiàng)目）創(chuàng)新性/主要優(yōu)勢(shì)/知識(shí)產(chǎn)權(quán)布局 

世界上唯一一家采用MOCVD制備高性能銻化物超晶格的團(tuán)隊(duì)，在器件性能、產(chǎn)能、成本上都優(yōu)于分子束外延MBE制備的器件。MOCVD使用的原料包括襯底和MO源完全國(guó)產(chǎn)化。目前擁有10多項(xiàng)發(fā)明專利。 

技術(shù)成熟度：暫無

來源：中國(guó)科學(xué)院知識(shí)產(chǎn)權(quán)與科技成果轉(zhuǎn)化網(wǎng)