據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)申請一項名為“一種基于無掩模二次外延的micro-LED芯片陣列的制備方法“，公開號CN117766642A，申請日期為2023年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種基于無掩模二次外延的micro LED芯片陣列的制備方法。本發(fā)明通過對GaN模板進行干法刻蝕，形成應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板，再在應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板基礎(chǔ)上選區(qū)二次外延多量子阱等結(jié)構(gòu)，有效避免對多量子阱區(qū)域進行干法刻蝕，從而避免了多量子阱的側(cè)壁刻蝕損傷；應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板使得n型摻雜的GaN受到的應(yīng)力得到有效弛豫；在應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板上生長的預(yù)應(yīng)力層，所受到的壓應(yīng)力得到部分弛豫，面內(nèi)晶格常數(shù)得到擴張，從而減小銦并入所需要的能量，增加多量子阱中銦的并入；在制備應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板中的刻蝕，使得只有GaN微米柱陣列的頂面為c面，作為生長面；選區(qū)二次外延生長，不需要額外的掩模，降低了micro LED制備工藝的復(fù)雜度。
