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EV集團(tuán)與弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所擴(kuò)大在量子計算應(yīng)用晶圓鍵合領(lǐng)域的合作

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2024-06-22 瀏覽次數(shù):456

 在新成立的先進(jìn)CMOS和異構(gòu)集成薩克森中心 (CEASAX) 引進(jìn)EVG850 DB自動激光解鍵合系統(tǒng)是戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的開始

2024年6月13日,奧地利圣弗洛里安和德國莫里茨堡——微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場晶圓鍵合與光刻設(shè)備領(lǐng)先供應(yīng)商EV集團(tuán)(EVG),與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體 3D 晶圓級系統(tǒng)集成應(yīng)用研究機(jī)構(gòu)弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所下屬德累斯頓全硅系統(tǒng)集成(All Silicon System Integration Dresden,簡稱:ASSID)今天聯(lián)合宣布,雙方已建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,開發(fā)和優(yōu)化應(yīng)用于包括量子計算在內(nèi)的先進(jìn)CMOS集成和異構(gòu)集成的晶圓臨時鍵合及解鍵合工藝。

針對此次合作,弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所(IZM-ASSID)采購了EVG?850 DB全自動UV激光解鍵合和清洗系統(tǒng),并安裝在新設(shè)立的位于德國德累斯頓的先進(jìn)CMOS和異構(gòu)集成薩克森中心,簡稱CEASAX。CEASAX結(jié)合了弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所(IZM-ASSID)與弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所(IPMS)的雙向核心技術(shù)支持,進(jìn)一步研究用于高性能神經(jīng)形態(tài)計算及低溫量子技術(shù)的300毫米3D異構(gòu)集成和前端半導(dǎo)體集成工藝。

EVG850 DB是CEASAX安裝的第一臺系統(tǒng),也標(biāo)志著弗勞恩霍夫鍵合中心(Bond-Hub)的啟動。它將幫助弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所(IZM-ASSID)縮小關(guān)鍵工藝差距,完美解決基于300毫米晶片潔凈室環(huán)境的量子系統(tǒng)及其晶圓級硬件環(huán)境制造技術(shù)。 CEASAX中心還設(shè)立了大量尖端的晶圓對晶圓,以及芯片對晶圓的臨時和永久鍵合系統(tǒng)。

EV集團(tuán)和弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所(IZM-ASSID)工作人員在安裝于CEASAX的 EVG?850 DB全自動UV激光解鍵合和清洗系統(tǒng)旁合影。從左到右依次為:

EV集團(tuán)歐洲區(qū)域銷售總監(jiān)Gerald Silberer;

弗勞恩霍夫IZM-ASSID預(yù)裝配/晶圓鍵合組長Andreas Gang 博士;

弗勞恩霍夫IZM-ASSID項(xiàng)目經(jīng)理Manuela Jungh?hnel博士;

EV集團(tuán)企業(yè)技術(shù)開發(fā)和知識產(chǎn)權(quán)總監(jiān)Markus Wimplinger;

EV集團(tuán)歐洲區(qū)域銷售經(jīng)理Andreas Pichler;

弗勞恩霍夫IZM-ASSID晶圓鍵合技術(shù)助理Robert Wendling;

弗勞恩霍夫IZM-ASSID項(xiàng)目副經(jīng)理Frank Windrich博士。

臨時鍵合對于異構(gòu)集成應(yīng)用至關(guān)重要

臨時晶圓鍵合是一種廣泛使用的工藝,可加工厚度小于100微米的超薄晶圓,對于3D集成電路、功率器件、扇出型晶圓級封裝(FOWLP)以及處理易碎基板(如化合物半導(dǎo)體)非常重要。解鍵合載體晶片的剝離是準(zhǔn)備器件晶片以進(jìn)行最終工藝步驟的重要一環(huán),該最終工藝將晶片分離和集成到終端設(shè)備或應(yīng)用中。EVG850 DB系統(tǒng)能有效幫助弗勞恩霍夫在自己內(nèi)部獨(dú)立完成解鍵合工藝,配合各類粘合膠系統(tǒng)的使用實(shí)現(xiàn)最佳工藝流程,從而大幅縮短開發(fā)時間,讓弗勞恩霍夫能夠?qū)崿F(xiàn)定制化工藝,來滿足不同客戶需求。

弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所(IZM-ASSID)項(xiàng)目經(jīng)理Manuela Jungh?hnel表示:“長期以來,弗勞恩霍夫與EV集團(tuán)在開發(fā)新工藝方面碩果累累,這些新工藝有助于實(shí)現(xiàn)尖端的新興微電子應(yīng)用,包括將諸如ASIC、RF設(shè)備、傳感器和收發(fā)器之類的模擬和數(shù)字設(shè)備集成到優(yōu)化的封裝系統(tǒng)或智能微電子系統(tǒng)中。我們很高興通過采購EVG850 DB激光解鍵合和清洗系統(tǒng)來擴(kuò)大和加強(qiáng)我們的合作伙伴關(guān)系,這個系統(tǒng)將是我們新成立的先進(jìn)半導(dǎo)體研究中心CEASAX的幾個關(guān)鍵產(chǎn)品安裝中的第一個。弗勞恩霍夫通過此次合作獲得了先進(jìn)的技術(shù)支持,并在3D 設(shè)備集成的新技術(shù)開發(fā)方面擁有了一個強(qiáng)大的合作伙伴,將來我們將為客戶提供一體化的、技術(shù)更完整的3D異構(gòu)集成工藝鏈。”

EV集團(tuán)技術(shù)開發(fā)和知識產(chǎn)權(quán)總監(jiān) Markus Wimplinger 表示:“我們很高興通過這一全新的戰(zhàn)略合作,與 弗勞恩霍夫在量子計算應(yīng)用及其他領(lǐng)域建立長期合作伙伴關(guān)系。我們的擴(kuò)大合作使EV集團(tuán)能夠始終站在尖端技術(shù)的前沿,為量子系統(tǒng)新制造工藝的開發(fā)做出貢獻(xiàn)。”

EVG異構(gòu)集成解決方案

EV集團(tuán)的晶圓鍵合、光刻和量測解決方案包括背照式CMOS圖像傳感器和其他3D-IC堆疊器件在內(nèi)的先進(jìn)封裝,以及MEMS和化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的新技術(shù)開發(fā)和大批量生產(chǎn)。EV集團(tuán)在異構(gòu)集成和晶圓級封裝方面的技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)先地位,例如:在混合鍵合方面取得的技術(shù)突破大大滿足了3D集成的需求,晶圓鍵合對準(zhǔn)技術(shù)可滿足未來的3D-IC封裝要求,紅外激光離層技術(shù)可去除先進(jìn)封裝的玻璃基板并實(shí)現(xiàn)超薄3D堆疊,無掩模曝光可用于扇出晶圓級封裝(FOWLP),NIL和光刻膠處理可用于支持晶圓級光學(xué)器件(WLO)制造。

關(guān)于EVG850 DB

EVG850 DB全自動UV激光解鍵合和清洗系統(tǒng)可在室溫下實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量、低成本解鍵合,適用于超薄和堆疊扇出型封裝。它采用固態(tài)紫外激光器和獨(dú)家的光束整形光學(xué)器件,實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的無作用力載片分離技術(shù)。有關(guān) EVG850 DB全自動UV激光解鍵合和清洗系統(tǒng)的更多信息,請訪問 https://www.evgroup.com/products/bonding/temporary-bonding-and-debonding-systems/evg850-db。

關(guān)于弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所(IZM-ASSID)

弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所(IZM-ASSID)是異構(gòu)3D晶圓級系統(tǒng)集成領(lǐng)域的領(lǐng)先研發(fā)合作伙伴,旨在實(shí)現(xiàn)3D集成領(lǐng)域的系統(tǒng)智能化。該機(jī)構(gòu)擁有一條經(jīng)ISO認(rèn)證的300毫米晶圓工藝線,用于先進(jìn)的晶圓級封裝,同時配備了用于處理200毫米和300毫米晶圓的兼容設(shè)備,其位于德累斯頓的工廠為客戶提供原型生產(chǎn)和小批量產(chǎn)品系列的工藝和技術(shù)開發(fā)。

關(guān)于 EV 集團(tuán)(EVG)

EV集團(tuán)(EVG)是為半導(dǎo)體、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、化合物半導(dǎo)體、功率器件和納米技術(shù)器件制造提供設(shè)備與工藝解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商。其主要產(chǎn)品包括:晶圓鍵合、薄晶圓處理、光刻/光刻納米壓?。∟IL)與測量設(shè)備,以及光刻膠涂布機(jī)、清洗機(jī)和檢測系統(tǒng)。EV集團(tuán)成立于1980年,能夠?yàn)槿蚋鞯氐目蛻艉秃献骰锇榫W(wǎng)絡(luò)提供服務(wù)與支持。有關(guān)EV集團(tuán)的更多信息,請訪問 www.EVGroup.com 。

 
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