據(jù)天眼查顯示，江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司“封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年12月31日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119230530A。

本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，封裝結(jié)構(gòu)包括基板及設(shè)置在基板上的中介層，中介層包括：芯片，倒裝設(shè)置在基板上，在芯片背面具有一凹槽；塑封層，塑封芯片，且凹槽表面未被塑封層覆蓋；導(dǎo)電柱，貫穿塑封層至基板；散熱層，覆蓋芯片背面的凹槽表面，散熱層的熱導(dǎo)率大于芯片背面材料的熱導(dǎo)率。本發(fā)明實(shí)施例提供的封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，在芯片背面形成凹槽，擴(kuò)大了芯片背面的表面積，進(jìn)而擴(kuò)大了芯片背面與外部散熱結(jié)構(gòu)的接觸面積，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)芯片的良好散熱，并且，封裝結(jié)構(gòu)還在凹槽表面設(shè)置熱導(dǎo)率較大的散熱層，進(jìn)一步提高了芯片背面與外部散熱結(jié)構(gòu)之間的熱量傳導(dǎo)，提高了封裝結(jié)構(gòu)的散熱性能。