專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種 GaN 基 LED 外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、LED 芯片，通過(guò)電子阻擋層減少電子泄露的同時(shí)，在外延結(jié)構(gòu)中的多量子阱層與電子阻擋層之間，采用包含厚度較薄的 AlN 層的空穴注入層，不僅能降低空穴輸運(yùn)時(shí)的勢(shì)壘屏障高度，還提供了空穴隧穿的有效路徑，并增加了空穴注入時(shí)的能量,顯著提高了空穴注入效率,增大注入到多量子阱層中的空穴濃度，進(jìn)而增大 LED 的發(fā)光效率。

天眼查資料顯示，晶能光電股份有限公司，成立于2006年，位于南昌市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本38927.9181萬(wàn)人民幣，實(shí)繳資本38927.9181萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，晶能光電股份有限公司共對(duì)外投資了8家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目31次，財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息12條，專(zhuān)利信息260條，此外企業(yè)還擁有行政許可93個(gè)。