聯(lián)合共贏,搶占戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)
-----第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟正式成立
2015年9月9日下午,在國(guó)家科技部、工信部、北京市科委的支持下,由第三代半導(dǎo)體相關(guān)的科研機(jī)構(gòu)、大專院校、龍頭企業(yè)自愿發(fā)起籌建的“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)盟”)正式在北京國(guó)際會(huì)議中心舉行成立大會(huì)。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)
科技部副部長(zhǎng)曹健林,高新司趙玉海司長(zhǎng),工信部原材料司綜合處常國(guó)武處長(zhǎng),科技部高技術(shù)研究發(fā)展中心秦勇主任,北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)閆傲霜主任,中國(guó)科學(xué)學(xué)與科技政策研究會(huì)李新男副理事長(zhǎng)等領(lǐng)導(dǎo)出席了成立大會(huì)。
南京大學(xué)鄭有炓院士代表41家發(fā)起機(jī)構(gòu)正式宣布第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的成立。聯(lián)盟將以推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同創(chuàng)新,加速科研成果轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化,培育有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)為目的而共同奮斗。
南京大學(xué)鄭有炓院士代表41家發(fā)起機(jī)構(gòu)正式宣布第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的成立。聯(lián)盟將以推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同創(chuàng)新,加速科研成果轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化,培育有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)為目的而共同奮斗。


科技部副部長(zhǎng)曹健林,南京大學(xué)鄭有炓院士,北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)閆傲霜主任,國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心主任吳玲共同為聯(lián)盟揭牌。
緊接著,在揭牌儀式上,科技部副部長(zhǎng)曹健林,南京大學(xué)鄭有炓院士,北京市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)閆傲霜主任,國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心主任吳玲共同為聯(lián)盟揭牌。
會(huì)議同期,召開了聯(lián)盟第一屆理事會(huì)第一次工作會(huì),進(jìn)行了理事長(zhǎng)、秘書長(zhǎng)的選舉。山東大學(xué)校長(zhǎng)張榮宣讀了聯(lián)盟第一屆理事會(huì)第一次工作會(huì)決議,經(jīng)過投票選舉,吳玲當(dāng)選為聯(lián)盟首屆理事長(zhǎng),北京國(guó)聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司總裁呂志輝當(dāng)選為聯(lián)盟秘書長(zhǎng)。理事會(huì)邀請(qǐng)曹健林副部長(zhǎng)出任顧問委員會(huì)主任,提名中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、北京大學(xué)、南京大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、三安光電股份有限公司、國(guó)網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院、中興通訊股份有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司等創(chuàng)新鏈條上的重要機(jī)構(gòu)作為副理事長(zhǎng)單位。
隨后,吳玲以理事長(zhǎng)的身份對(duì)當(dāng)選表示,深感榮幸,倍感壓力和責(zé)任重大。同時(shí),也對(duì)聯(lián)盟未來工作做了相關(guān)匯報(bào)。呂志輝也以聯(lián)盟秘書長(zhǎng)身份,對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立之后近期工作重點(diǎn)做了相關(guān)匯報(bào)。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立大會(huì)合影
第三代半導(dǎo)體材料是近年來迅速發(fā)展起來的以GaN、SiC和ZnO為代表的新型半導(dǎo)體材料,具有禁帶寬度大,擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn),是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”,在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,可望成為支撐信息、能源、交通、國(guó)防等發(fā)展的重點(diǎn)新材料,正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。
第三代半導(dǎo)體材料及器件的突破將引發(fā)科技變革并重塑國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。美、日、歐、韓等發(fā)達(dá)國(guó)家高度重視并已部署國(guó)家計(jì)劃搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。我國(guó)政府也十分重視第三代半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,在政府的持續(xù)部署支持下,我國(guó)材料研發(fā)的整體水平與國(guó)際上差距不大,如在第三代半導(dǎo)體材料第一個(gè)產(chǎn)業(yè)化的應(yīng)用方面--半導(dǎo)體照明已經(jīng)在關(guān)鍵技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破,創(chuàng)新應(yīng)用國(guó)際領(lǐng)先;在第三代半導(dǎo)體電子器件應(yīng)用方面,在移動(dòng)通訊、光伏逆變、雷達(dá)領(lǐng)域已有少量示范應(yīng)用。
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起的目的主要是圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建創(chuàng)新鏈,促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作以及跨界應(yīng)用的開放協(xié)同創(chuàng)新,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的建設(shè),培育形成一批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、知名品牌和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)的骨干企業(yè)群,形成全國(guó)一盤棋的發(fā)展合力,抓住換道超車的歷史性機(jī)遇,實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展,在國(guó)際上搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點(diǎn),重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。