【中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊】近日，上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司成功開發(fā)出了適合大規(guī)模量產(chǎn)的化學(xué)腐蝕剝離外延層生長襯底的新技術(shù)，可以用來制作垂直結(jié)構(gòu)的GaN基電子功率器件和高端薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片。該技術(shù)克服了激光剝離技術(shù)的諸多缺點(diǎn)，解決了困擾產(chǎn)業(yè)界多年的產(chǎn)品良率和成本等問題。
與激光剝離技術(shù)相比，上海芯元基的化學(xué)剝離技術(shù)具有以下特征：一：工藝簡單，成本低，適合大規(guī)模量產(chǎn)；二、避免了激光剝離過程中激光能量和沖擊對(duì)外延層的損傷；三、結(jié)合MEMS技術(shù)，先剝離，再鍵合，徹底釋放器件外延結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力。
據(jù)了解，上海芯元基由以郝茂盛博士為核心的LED行業(yè)資深專家于2014年10月創(chuàng)建，公司專注于具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和巨大產(chǎn)業(yè)前景的第三代半導(dǎo)體（GaN）材料和高端薄膜結(jié)構(gòu)LED芯片的研發(fā)和量產(chǎn)，已經(jīng)完成了從生長襯底、外延技術(shù)、芯片工藝、到器件封裝全產(chǎn)業(yè)鏈的專利布局，打破了國際巨頭對(duì)GaN基電子器件和薄膜結(jié)構(gòu)LED芯片的技術(shù)壟斷，對(duì)發(fā)展我國第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)意義重大。
