5月12日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司承辦的“第三代半導體產(chǎn)業(yè)電子裝備國產(chǎn)化技術座談會”在中科院半導體所4層會議室成功舉行。

　　座談會現(xiàn)場

　　出席座談會的領導及專家有，科技部原副部長曹健林，科技部高新司先進制造和自動化處處長王靜，科技部高新司材料處副處長孟徽，中科院微電子所所長葉甜春，科技部第三代半導體材料項目管理辦公室主任、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）秘書長吳玲，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟技術顧問、半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室外方主任張國旗，半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任、中國科學院半導體照明研發(fā)中心主任李晉閩以及科技部第三代半導體專家組專家中興通訊副總裁、電源研究院院長晏文德，中國電子科技集團公司第十三研究所副所長蔡樹軍，中國電子科技集團公司第五十五研究所寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任柏松，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略副秘書長于坤山以及中車、中電科、泰科天潤、中晟光電、北方微電子等一大批裝備及相關領域的專家參與此次座談會。

　　座談會現(xiàn)場

　　首先，科技部第三代半導體材料項目管理辦公室主任、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、CSA秘書長吳玲介紹與會領導及專家到會情況，并簡要介紹此次座談會背景。她表示：“自2011年起，科技部高新司就啟動了第三代半導體材料及應用“6+1”重點項目，在十二五末期，經(jīng)過論證，十三五首批國家重點專項 “戰(zhàn)略性先進電子材料”板塊就是第三代半導體材料與半導體照明。經(jīng)過三四年的時間，在重點項目的支持下，經(jīng)過產(chǎn)學研用多方的努力下，第三代半導體材料及應用的發(fā)展已經(jīng)看到了明確的目標，就是要搶占全球的話語權和制高點。”

科技部第三代半導體材料項目管理辦公室主任、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、CSA秘書長吳玲

　　吳玲還表示，第三代半導體的應用現(xiàn)在也越來越清晰，不僅僅是在支撐下一代信息技術，在節(jié)能環(huán)保領域，特別是在傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的提升方面，例如充電樁的示范、5G通訊的專項等等都做了全面的部署。除了第三代半導體材料背本身應用機會來拉動以外，還有一個機會就是裝備的機會。所以，本次座談會以工藝與裝備一體化為出發(fā)點，以第三代半導體技術、產(chǎn)業(yè)及應用方向、電子裝備國產(chǎn)化現(xiàn)狀與趨勢、碳化硅器件工藝對裝備的需求、氮化鎵器件工藝對裝備的需求、電子裝備國產(chǎn)化建議等內(nèi)容為主題，探討第三代半導體裝備的國產(chǎn)化之路，為國家第三代半導體裝備的國產(chǎn)化提出具體建議，來推動整個產(chǎn)業(yè)的健康可持續(xù)的發(fā)展。當前，我國在微電子方面通過科技部“02專項“在裝備方面已經(jīng)取得了很大的進展和成果，在第三代半導體又是一個機會，在全球來看第三代半導體裝備還不是很成熟，在第三代半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)化及規(guī)模化前夜召開此次座談會來謀劃這件事非常有必要。

　　科技部原副部長曹健林為座談會致辭

　　緊接著，科技部原副部長曹健林在致辭中指出，進入21世紀以來，中國是世界上最大的發(fā)展中國家，我們在追趕發(fā)展中國家所用的時間在迅速的縮短。我們不僅要考慮全產(chǎn)業(yè)鏈，還要考慮全產(chǎn)業(yè)鏈的未來發(fā)展。其實，我們作為發(fā)展中國家往往在追趕發(fā)達國家的過程中就是先生產(chǎn)終端產(chǎn)品，然后再生產(chǎn)這些產(chǎn)品的相關設備以及生產(chǎn)相關產(chǎn)品的所需的原材料和相關工藝。在趕超的過程也是一個逐步發(fā)展的過程。在終端產(chǎn)品方面，我國已經(jīng)是世界上最大的市場了，但是我們的裝備和生產(chǎn)這些高新技術產(chǎn)品所需要的相關材料和工藝，我們還需要相當一段時間才能趕超。

 

　　曹健林表示，通過在以往的實踐的過程中發(fā)現(xiàn)，這種提供材料提供裝備的往往是拿走了第一桶金，讓他們都賺的盆滿缽滿的時候，那些產(chǎn)能過剩的痛苦都留給了我們，我想這一天不應該在長久的繼續(xù)去。更何況我們的先輩曾將說過“工欲善其事，必先利其器。”所以，我們的裝備、材料和工藝決定了我們的制造水平，也決定了我們作為高新技術產(chǎn)業(yè)、高新技術產(chǎn)品在國際上的地位。因此，我們第三代半導體還處在成長的初期狀態(tài)，我們中國人也應該考慮相關的裝備、材料和工藝。

 

　　其二，我們對自己要有自信心。目前事實上我們在第三代半導體所涉及的一些裝備，它所需要的精度、所需要的產(chǎn)能的效率以及它目前產(chǎn)業(yè)規(guī)模，所引起國際大公司都還處在一個起步階段，所以給我們留下了更多的機會。目前，我們無論是在材料、還是封裝，都已經(jīng)打下了良好的基礎，因此再結合我們擁有全球最大的市場，或許我們不講彎道超車、能夠后來居上，至少未來能成為我們的一個優(yōu)勢。所以希望通過今天的座談會，看到一些優(yōu)勢和一些突破口的話，立即投入行動，爭取用若干點上的突破，最后實現(xiàn)我們國家和民族整體的優(yōu)勢。

　　中科院微電子所所長 葉甜春

　　中科院微電子所所長葉甜春在致辭中表示，寬禁帶半導體除了照明之外，電力電子微波器件可能未來是非常大的突破，一旦做起來，市場會非常大。將來要涉及到新能源，甚至是我們節(jié)能降耗的使用，它可能形成一個組合方向，硅的、氮化鎵、碳化硅的可能會形成上下游配合起來使用。硅的可以做一些集成，射頻微波是軍用只是一塊，等到5G通訊起來以后一下子就起來了。一旦5G通訊起來以后，氮化鎵必然要往上走的。同時，實際上我們在“02專項“的支持下，南車、株洲所、國網(wǎng)最近也都在著手和微電子合作，一些常規(guī)的制造設備，我們已經(jīng)看到國產(chǎn)設備已經(jīng)構成了一個基礎，第三代半導體也是和一二代半導體有相應的聯(lián)系，希望能夠堅持做下去。

　　半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任、中國科學院半導體照明研發(fā)中心主任 李晉閩

　　半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室主任、中國科學院半導體照明研發(fā)中心主任李晉閩表示，早在科技部02專項的時候就已經(jīng)提出對MOCVD大力支持，實際上國產(chǎn)的MOCVD48片機已經(jīng)研發(fā)出來，但是可能在政策上原因，進口設備上是有補貼的，國產(chǎn)設備沒有補貼，反而在一些零部件上還要交稅，所以也是一個不公平的。所以跟發(fā)改委、科技部、財政部反應過很多次，好在零部件免稅已經(jīng)放開，對引進這方面也是很好的促進國產(chǎn)重大裝備的發(fā)展。作為第三代半導體材料無論是碳化硅、氮化鎵，材料一定是最重要的。希望在半導體照明的很好的工業(yè)基礎上，能夠很好的梳理以后的國產(chǎn)化設備基礎，能在未來發(fā)展過程中針對光電子LED的、針對微電子應用的電子功率器件的在重大裝備的國產(chǎn)化上，一定要梳理出一條國產(chǎn)化思路，通過大家的共同努力促使我們國家第三代半導體材料及應用能再上一個新臺階。

　　第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟技術委員會委員張國旗教授主持邀請報告環(huán)節(jié)

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長 于坤山

　　根據(jù)議程，在邀請報告環(huán)節(jié)，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟技術委員會委員張國旗教授主持會議。首位邀請報告人是來自第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長于坤山帶來了《第三代半導體技術、產(chǎn)業(yè)及應用方向》主題報告，從機遇也許會稍縱即逝、市場已在敲門、正在形成的產(chǎn)業(yè)、聯(lián)盟能夠發(fā)揮的作用、尋找突破的機會五個方面展開介紹。于坤山表示，當前第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展處于窗口機遇期，會支撐智能化為特征的產(chǎn)業(yè)升級和高新技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展，電力電子技術成為支撐未來能源互聯(lián)網(wǎng)、智能電網(wǎng)、電力傳動和智能用電等領域技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然選擇。