2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

11月2日下午，SSLCHINA 2017之材料與裝備技術分會如期舉行。中微半導體設備（上海）有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司、維易科精密儀器國際貿易（上海）有限公司為本次分會提供了協(xié)辦支持。

美國密歇根大學教授Pei-Cheng KU，挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，北京大學教授陳志忠、南昌大學教授劉軍林、中微(上海)有限公司首席技術員胡建正、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司第一刻蝕BU副總經理劉利堅，德國愛思強股份有限公司高級產品經理Michael HEUKEN、美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監(jiān)Mark MCKEE等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心副主任王軍喜，河北工業(yè)大學教授畢文剛共同主持了本次分會?！?/p>

圖形化藍寶石襯底(PSS)已經被廣泛用于提高LED的晶體質量以及出光效率。許多研究者報道了當圖形尺寸減少到納米尺度，LED出光效率將進一步提升。但是，納米PSS（NPSS）是否可以有效提高晶體質量還有不同的看法。會上，北京大學教授陳志忠介紹了基于納米圖案藍寶石襯底通過MOCVD生長藍綠色LED。

陳志忠表示，GaN基青光LED通過低壓金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）生長得到。首先在成核層上進行兩步法高溫生長GaN模板，接著在模板上生長青光LED，波長為490nm。通過測量發(fā)現(xiàn)，NPSS上生長的青光LED的光致發(fā)光（PL）、電致發(fā)光（EL）強度比平面藍寶石上的分別高3倍和61%。

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