2017年11月1-3日，在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關(guān)部門大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和北京順義區(qū)人民政府主辦的2017國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京·順義·首都機(jī)場希爾頓酒店隆重舉行。

大會圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。

期間，中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、專用集成電路重點實驗室協(xié)辦的“第三代半導(dǎo)體與微波射頻技術(shù)“分會如期順利召開。分會主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計與制造、可靠性技術(shù)及其在移動通信中的應(yīng)用等各方面，邀請國內(nèi)外知名專家參加會議，呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體微波器件及其應(yīng)用的最新進(jìn)展。

英國布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL、中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅、南京電子器件研究所高級工程師吳少兵、西安電子科技大學(xué)副教授鄭雪峰、中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工劉建利、荷蘭Ampleon公司W(wǎng)LR可靠性專家陶國橋等國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜曳窒砀髯缘难芯砍晒Ｖ袊娮涌萍技瘓F(tuán)公司第十三研究所副所長、研究員級高工蔡樹軍，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同主持本次分會。

英國布里斯托大學(xué)教授兼設(shè)備熱成像和可靠性中心主任Martin KUBALL做了極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術(shù)的報告，從國際視角分享了其最新研究成果。

　　中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅做了題為InAlN/GaN HFETs的可靠性評估和高頻特性研究的報告。結(jié)合相關(guān)的測試、案例，介紹了解決InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（HFETs）應(yīng)用的漏電大和可靠性差的瓶頸問題的方法。

　　馮志紅中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員分享了InAlN/GaN HFETs的可靠性評估和高頻特性研究，介紹了不同結(jié)構(gòu)的作用和影響等內(nèi)容。

　　西安電子科技大學(xué)副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結(jié)構(gòu)的研究報告。

毫米波固態(tài)功率放大器是現(xiàn)代化軍事裝備的重要組成部分，其在W波段需要的發(fā)射端輸出功率達(dá)數(shù)瓦或更高。南京電子器件研究所高級工程師吳少兵做了題為W波段AlGaN/GaN MMIC 功率放大器的報告，介紹了一種采用Lange橋耦合及微帶匹配的平衡式4級功率放大器工藝。結(jié)果顯示，AlGaN/GaN HEMT在W波段領(lǐng)域，首次實現(xiàn)了單片輸出功率和功率密度指標(biāo)同時達(dá)到3W及3W/mm以上。

5G時代來了，移動通信領(lǐng)域一大波改變即將發(fā)生，材料技術(shù)的發(fā)展也備受關(guān)注。中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工劉建利分享了氮化鎵在5G方面的應(yīng)用，介紹了當(dāng)前5G系統(tǒng)的概況，氮化鎵器件在5G領(lǐng)域應(yīng)用的電路形式等內(nèi)容。

 可靠性至關(guān)重要，荷蘭Ampleon公司W(wǎng)LR可靠性專家陶國橋做了開發(fā)GaN技術(shù)晶圓級可靠性的精彩報告，分享了在可靠性方面的研究成果及部分實例。相對于產(chǎn)品的可靠性， 晶圓級可靠性更注重芯片工藝技術(shù)有關(guān)的部分。 針對不同的失效機(jī)理，設(shè)計不同的快速有效的診斷和測試結(jié)構(gòu)，并為加速測試建立模型。WLR 為加速技術(shù)開發(fā)，和大批量生產(chǎn)中的工藝質(zhì)量控制會起到非常積極的作用。