2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦，國家科學技術部高新技術發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、國家節(jié)能中心、深圳市科技創(chuàng)新委員會和張家港高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)特別支持，深圳市龍華區(qū)經(jīng)濟促進局、深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。
本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導體的前沿發(fā)展和技術應用，設置了包括固態(tài)紫外器件技術、碳化硅材料與電力電子器件技術、氮化鎵材料與電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。
本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導體的前沿發(fā)展和技術應用，設置了包括固態(tài)紫外器件技術、碳化硅材料與電力電子器件技術、氮化鎵材料與電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。
10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封裝與應用”分會召開。分會主題涵蓋寬禁帶半導體電力電子器件封裝設計、工藝、關鍵材料與可靠性評價等方面，并廣泛征集優(yōu)秀研究成果，邀請國內(nèi)外知名與家參加本次會議，充分展示寬禁帶半導體電力電子器件封裝技術及其可靠性評價的最新進展。
法國國家科學研究中心(CNRS)科學家Cyril BUTTAY，天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權，西安交通大學教授王來利，重慶大學教授葉懷宇，南京電子器件研究所寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室副主任、研究員黃潤華，中國科學院電工研究所研究員寧圃奇，香港應用科技研究院有限公司電子元件部高級經(jīng)理李天河等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權主持了本屆分會。
法國國家科學研究中心(CNRS)科學家Cyril BUTTAY分享了10 kV SiC MOSFET封裝關于電氣和熱性能之間的權衡的報告。他表示，對高性能冷卻系統(tǒng)的要求對封裝技術產(chǎn)生了影響:相應的電源模塊必須既具有高電壓絕緣又具有低熱阻。特別地，在碳化硅裝置和冷卻系統(tǒng)之間的陶瓷基板的厚度之間有一個權衡。結(jié)合具體的研究實踐，他介紹了一種新的襯底結(jié)構，其特點是提高了襯底的電壓強度而不增加襯底的厚度。
碳化硅寬帶隙半導體材料和功率器件技術的進步使節(jié)能的功率開關成為可能，其性能指標比傳統(tǒng)的硅功率開關具有更低的通電阻、更高的阻塞電壓、更低的開關損耗和更高的工作結(jié)溫。然而，這些寬帶隙器件的封裝正成為它們廣泛應用的瓶頸。天津大學材料科學與工程學院教授、弗吉尼亞理工大學終身教授陸國權做了分享了電動汽車平面雙側(cè)冷卻SiC電源模塊的封裝技術的研究進展，介紹了一種封裝解決方案，用于制造低調(diào)的、雙面冷卻的SiC電源模塊，以使電動汽車的功率密度轉(zhuǎn)換大大提高。并介紹了一種60kw逆變器的模塊設計、材料選擇、模塊組裝過程以及模塊的測試結(jié)果。
現(xiàn)如今，功率半導體芯片正在從硅基向?qū)捊麕О雽w材料發(fā)展，其工作溫度預計將會超過300攝氏度。為了保證功率半導體器件正常工作以及提高其可靠性和壽命，研究適應高溫、高功率的封裝是非常有必要的。納米銀是完美的解決方案，然而昂貴的價格限制其只能在軍工或者高端產(chǎn)品上使用，納米銅是很好的替代方案。重慶大學教授葉懷宇分享了納米銅用于功率半導體封裝的工藝研究成果，包括中間層對于納米銅燒結(jié)層影響的研究以及在空氣、氮氣、氬氣的環(huán)境中燒結(jié)，氣氛對于納米銅燒結(jié)過程中的影響的研究等。
在電力電子行業(yè)的發(fā)展過程中，半導體技術起到了決定性作用。其中，功率半導體器件一直被認為是電力電子設備的關鍵組成部分。在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，其也成為技術關注重點。南京電子器件研究所寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室副主任，研究員黃潤華分享了SiC MOSFETs 的最新進展。
以碳化硅、氮化鎵為代表的的寬禁帶半導體材料，由于具有寬帶隙、高飽和飄逸速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，成為制造大功率、高頻、高溫及抗輻照電子器件的理想替代材料。目前碳化硅單晶生長技術和氮化鎵異質(zhì)結(jié)外延技術的不斷成熟，寬禁帶半導體功率器件的研制和應用在近年來得到快速發(fā)展。會上，圍繞著器件方向，多位嘉賓從不同角度帶來了精彩報告。
西安交通大學教授王來利分享了寬禁帶功率器件封裝與集成的挑戰(zhàn)與機遇。
中國科學院電工研究所研究員寧圃奇帶來了題為碳化硅混合開關器件初探的報告。
香港應用科技研究院有限公司電子元件部高級經(jīng)理李天河分享了寬禁帶器件應用在AGV電力電子系統(tǒng)中的優(yōu)勢。
（根據(jù)會議資料整理，如有出入敬請諒解。）
