2018年10月23-25日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯盟（CSA）、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯合主辦的第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。

 

    10月24日下午，“固態(tài)紫外器件技術”分會如期舉行，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

 

    美國Crystal IS.聯合創(chuàng)始人Leo SCHOWALTER，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心副主任王軍喜，華中科技大學教授陳長清，北京大學副教授許福軍，三重大學助理教授永松謙太郎，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學教授黃凱，中南大學教授汪煉成，南京大學蘇琳琳等中外同行專家?guī)砭蕡蟾?，并分享各自的最新研究成果。廈門大學教授康俊勇，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。

 

    發(fā)射短波紫外線波長(λ≤280nm)的AlGaN基深紫外(DUV)發(fā)光二極管(LED)可廣泛應用于水/空氣凈化、日常消毒、表面消毒、醫(yī)療診斷和生化劑檢測等領域。北京大學副教授許福軍帶來了高質量AlN和AlGaN基深紫外發(fā)光二極管外延生長研究的報告，分享了最新的研究成果。

 

    其研究團隊系統地研究了高質量的AlN、AlGaN和隨后的高效AlGaN倍增量子阱以及p型AlGaN，包括研究了在納米藍寶石或AlN模板上生長高質量AlN。對于（0002）和（10-12）AlN的反射，最佳X射線ω掃描半峰全寬（FWHM）值分別達到106和143弧秒。AFM圖像顯示臺階很直，均方根（RMS）的值為0.072 nm。在高結晶質量的AlN的基礎上，制備了目標波長為280 nm的AlGaN基MQW。 歸功于MQW中108 cm-2數量級的低位錯密度，279 nm波長的MQW通過溫度依賴的PL光譜測量獲得了高于80％的IQE值。研究了具有高鋁摩爾分數的高空穴濃度p型AlGaN層的制備。開發(fā)了一種高度可控的金屬原子解吸技術，以實現具有更高鋁摩爾分數的超薄AlGaN。在該生長方案中進行Mg摻雜，Mg原子濃度大于1019 cm-3。霍爾測量表明，室溫下空穴濃度達到6.7×1018 cm-3的高值，遷移率為1.03cm2 / Vs。

 

    （內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）