第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)越性質(zhì)。其中氮化物材料是第三代半導(dǎo)體材料中最引人矚目的材料，尤其是GaN（氮化鎵）基光電子器件在白光照明領(lǐng)域非常成功。紫外LED也是目前氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢(shì)，隨著環(huán)保及公共安全等領(lǐng)域的需求升級(jí)，固態(tài)紫外技術(shù)擁有廣闊的應(yīng)用前景。
2020年11月23-25日，第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）將在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。南方科技大學(xué)與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
其中，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會(huì)重點(diǎn)兲注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測(cè)材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測(cè)器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。分會(huì)還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法等，力圖全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體紫外發(fā)光和探測(cè)領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應(yīng)用等各層面的國(guó)內(nèi)外最新迚展。
中科院半導(dǎo)體所研究員、半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任王軍喜與廈門大學(xué)教授康俊勇將共同領(lǐng)銜擔(dān)任本屆分會(huì)主席。南京大學(xué)教授陸海、臺(tái)灣交通大學(xué)特聘教授郭浩中、華中科技大學(xué)教授陳長(zhǎng)清、沙特國(guó)王科技大學(xué)副教授李曉航等國(guó)內(nèi)外專家聯(lián)袂組成分會(huì)委員團(tuán)，為分會(huì)提供強(qiáng)力支持。來(lái)自國(guó)內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表將帶來(lái)精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。
北京大學(xué)教授、北京大學(xué)東莞光電研究院院長(zhǎng)王新強(qiáng)將分享超高功率深紫外線光源在消毒中應(yīng)用的最新進(jìn)展。中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員, 山西中科潞安紫外光電科技有限公司副總經(jīng)理閆建昌將做題為”氮化物深紫外LED研發(fā)方向：從二維材料到納米結(jié)構(gòu)“的主題報(bào)告。廈門大學(xué)教授蔡端俊將分享氯離子局域場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的快速除氫p型增強(qiáng)技術(shù)及深紫外LED效率提升的最新研究成果。廈門三安光電股份有限公司副總經(jīng)理GaN事業(yè)部總經(jīng)理張中英將分享AlGaN基深紫外LED器件的最新進(jìn)展。中科院寧波材料所副研究員郭煒將做”鋁鎵氮深紫外量子阱及LED：斜切角襯底及橫向極性疇的影響研究“的主題報(bào)告。湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授黎明鍇將分享關(guān)于Hf摻雜SnO2實(shí)現(xiàn)高性能日盲紫外光探測(cè)器的最新研究進(jìn)展。
本屆論壇緊扣國(guó)家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯機(jī)遇·助力新基建”為主題，屆時(shí)兩場(chǎng)國(guó)際性盛會(huì)同臺(tái)亮相，先進(jìn)技術(shù)熱點(diǎn)高度聚焦，政產(chǎn)學(xué)研用行業(yè)領(lǐng)袖齊聚，共商未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計(jì)。
11月，深圳見(jiàn)！
會(huì)議具體信息如下：
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http://www.sslchina.org/
部分嘉賓
分會(huì)主席：王軍喜 中科院半導(dǎo)體所研究員
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任，中科潞安半導(dǎo)體研究院院長(zhǎng)。自2003年至今在中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作。從事氮化物材料生長(zhǎng)和器件研制工作，熟悉MOCVD 、MBE和HVPE生長(zhǎng)設(shè)備和相關(guān)材料分析表征方法。使用國(guó)產(chǎn)NH3-MBE生長(zhǎng)設(shè)備，獲得了具有當(dāng)時(shí)國(guó)際水平的高遷移率GaN外延片；做為骨干科研人員，所在小組研制成功了壓電極化效應(yīng)誘導(dǎo)的高質(zhì)量AlGaN/GaN二維電子氣結(jié)構(gòu)材料，并用所研制的材料與信息產(chǎn)業(yè)部第十三研究所合作研制出了我國(guó)第一只氮化物高溫HEMT器件；負(fù)責(zé)自主設(shè)計(jì)并制備了一臺(tái)HVPE厚膜GaN材料生長(zhǎng)設(shè)備，獲得了厚膜GaN材料生長(zhǎng)速率超過(guò)了每小時(shí)200μm，晶體質(zhì)量位于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平；在“十一五”期間，負(fù)責(zé)氮化物MOCVD材料生長(zhǎng)研究，主要方向?yàn)镚aN基LED材料生長(zhǎng)研究和紫外LED材料生長(zhǎng)研究。
分會(huì)主席：康俊勇 廈門大學(xué)教授
廈門大學(xué)“物理學(xué)”一級(jí)學(xué)科博士點(diǎn)、“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”二級(jí)學(xué)科工科博士點(diǎn)學(xué)術(shù)帶頭人、“凝聚態(tài)物理”國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科主要學(xué)術(shù)帶頭人。長(zhǎng)期從事化合物半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)及其特性表征的教學(xué)和科研工作。主持過(guò)國(guó)家“973”、“863”、國(guó)家自然科學(xué)基金重大研究計(jì)劃和重點(diǎn)項(xiàng)目等數(shù)十項(xiàng)研究。先后研發(fā)了首臺(tái)強(qiáng)磁場(chǎng)晶體生長(zhǎng)、納米級(jí)空間分辨率應(yīng)變和電荷測(cè)試、原位納米結(jié)構(gòu)綜合測(cè)試等設(shè)備。在高Al組分AlGaN量子結(jié)構(gòu)等設(shè)計(jì)與生長(zhǎng)及其深紫外表面等離子激元光源研發(fā)方面，取得了系列開拓性成果，被同行稱為“表面等離子激元深紫外光子學(xué)研究第一人”。在新型太陽(yáng)能電池研發(fā)方面，首次將寬帶隙半導(dǎo)體調(diào)制到對(duì)太陽(yáng)光中紅外線有效吸收，該成果2012年以“廈大研發(fā)新型太陽(yáng)能光伏電池”名稱被列入最新十二大太陽(yáng)能光伏電池新技術(shù)。在低維晶格及其耦合誘導(dǎo)的半導(dǎo)體新功能及其應(yīng)用方面，取得多項(xiàng)重要的研究進(jìn)展，獲得了國(guó)內(nèi)外同行的高度評(píng)價(jià)。
先后建立了超高真空、極低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)、晶體生長(zhǎng)及原位綜合測(cè)量等實(shí)驗(yàn)條件；建立了福建省半導(dǎo)體材料及應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、半導(dǎo)體微納光電子材料與器件教育部工程研究中心，被譽(yù)為“廈門大學(xué)實(shí)驗(yàn)物理奠基人”。榮獲“福建省先進(jìn)工作者”、“廈門市勞動(dòng)模范”等稱號(hào)。同時(shí)，推動(dòng)了國(guó)家半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化基地（廈門）的建設(shè)工作，牽頭與行業(yè)龍頭企業(yè)等創(chuàng)建了福建省半導(dǎo)體光電材料及其高效轉(zhuǎn)換器件協(xié)同創(chuàng)新中心，為廈門成為國(guó)家乃至世界的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn)做出重要貢獻(xiàn)，榮獲“廈門市科技創(chuàng)新杰出人才”。
王新強(qiáng) 北京大學(xué)教授
北京大學(xué)物理學(xué)院教授，教育部長(zhǎng)江特聘教授，國(guó)家杰出青年基金獲得者，萬(wàn)人計(jì)劃中青年領(lǐng)軍人才，主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理與器件研究，發(fā)表SCI論文160余篇，SCI引用逾2500次，在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)會(huì)議上做邀請(qǐng)報(bào)告30余次，擔(dān)任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”編輯，NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列編委。
閆建昌 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員
中國(guó)科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)會(huì)員，北京市科技新星計(jì)劃入選者。長(zhǎng)期從事氮化物半導(dǎo)體材料和器件研究，尤其專注于氮化鎵半導(dǎo)體紫外發(fā)光二極管（UVLED）領(lǐng)域十余年，負(fù)責(zé)國(guó)家863計(jì)劃、自然科學(xué)基金、重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等多項(xiàng)國(guó)家級(jí)科研項(xiàng)目，取得了具有國(guó)際影響力的研究成果。與美國(guó)、日本、歐洲等多國(guó)的領(lǐng)域著名研究機(jī)構(gòu)開展了學(xué)術(shù)交流合作，并與產(chǎn)業(yè)界建立了良好的互動(dòng)合作關(guān)系。
主持承擔(dān)國(guó)家863課題“深紫外LED外延生長(zhǎng)及應(yīng)用技術(shù)研究”，國(guó)際上首次在納米圖形藍(lán)寶石襯底(NPSS)上MOCVD外延出高質(zhì)量AlN材料，材料質(zhì)量為國(guó)際最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。相關(guān)研究獲得SemiconductorToday、CompoundSemiconductors等半導(dǎo)體界知名網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)。主持自然科學(xué)基金項(xiàng)目“AlGaN基紫外激光二極管研究”，成功實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)首個(gè)UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的室溫受激發(fā)射。發(fā)表學(xué)術(shù)論文五十余篇，申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利三十多項(xiàng)。獲中科院成果鑒定兩項(xiàng)，2012年度北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)、2015年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，2018年度北京市科技新星計(jì)劃入選者。
蔡端俊 廈門大學(xué)教授
2011年加入廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院，擔(dān)任副教授和正式教授。2013年擔(dān)任國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)兼職副教授，并于2016年擔(dān)任美國(guó)杜克大學(xué)客座教授。他一直是氮化物半導(dǎo)體，生物物理學(xué)，納米科學(xué)和納米技術(shù)的先驅(qū)，他提出了用于深紫外LED的AlGaN新型異質(zhì)結(jié)構(gòu)，基于AES的非接觸電表征方法，螢火蟲生色團(tuán)的生物異質(zhì)結(jié)的原始概念，超細(xì)和超長(zhǎng)Cu納米絲作為透明電極的合成以及單層的超大尺寸增長(zhǎng) h-BN膜。他是美國(guó)物理學(xué)會(huì)，美國(guó)生物物理學(xué)會(huì)，美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)和P.R.C.半導(dǎo)體學(xué)會(huì)的成員。他在同行評(píng)審的期刊和國(guó)際會(huì)議上發(fā)表了80多篇論文，并且是40多項(xiàng)專利的主要發(fā)明者。
郭煒 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所副研究員
研究方向?yàn)榈谌雽?dǎo)體材料與器件。主要研究興趣包括高鋁組分AlGaN 材料的MOCVD 外延、氮化物極性調(diào)控及新型光電子/電力電子器件、紫外LED/激光器的開發(fā)及光子提取研究、紫外專用MOCVD設(shè)備等。郭博士目前主持、參與科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、寧波市“科技創(chuàng)新2025重大專項(xiàng)”、國(guó)家自然科學(xué)基金面上/青年基金、浙江省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等課題，在SCI 期刊雜志發(fā)表論文40余篇，論文引用近1000余次，申請(qǐng)中國(guó)發(fā)明專利10余項(xiàng)。
