2018年10月23-25日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與深圳市龍華區(qū)政府聯(lián)合主辦的第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。
10月24日下午，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會如期舉行，分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。
美國Crystal IS.聯(lián)合創(chuàng)始人Leo SCHOWALTER，中科院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任王軍喜，華中科技大學(xué)教授陳長清，北京大學(xué)副教授許福軍，三重大學(xué)助理教授永松謙太郎，中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學(xué)教授黃凱，中南大學(xué)教授汪煉成，南京大學(xué)蘇琳琳等中外同行專家?guī)砭蕡蟾?，并分享各自的最新研究成果。廈門大學(xué)教授康俊勇，中科院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。
紫外單光子探測器在軍事和民用領(lǐng)域有重要的應(yīng)用前景。4H-SiC作為新型第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、載流子飽和漂移速度高、碰撞離化系數(shù)大、化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)等優(yōu)勢，是制備紫外雪崩光電探測器（APD）的優(yōu)選材料。近年來，雖然4H-SiC APD的性能不斷提高，但仍存在雪崩增益不均勻，單光子探測效率低等問題。南京大學(xué)蘇琳琳帶來了4H-SiC紫外雪崩光電探測器的雪崩不均勻性研究的報告，具體的研究實踐表明顯示器件臺面內(nèi)的雪崩不均勻性與[11-20]晶向有關(guān)，這對優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)、提高性能有重要指導(dǎo)意義。
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