11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。

11月26日上午，“Micro-LED與其他新型顯示技術”分會如期召開。本屆分會由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、華燦光電股份有限公司、德國愛思強股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司協(xié)辦。

法國原子能委員會電子與信息技術實驗室研究主任Francois TEMPLIER，北京大學教授陳志忠，德國ALLOS Semiconductors首席技術官Atsushi NISHIKAWA，美國Lumiode, Inc.創(chuàng)立者兼總裁Vincent LEE，北方華創(chuàng)PVD事業(yè)部LED產品經理郭冰亮，和蓮光電科技股份有限公司董事長邰中和，南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌，德國Instrument Systems optische Messtechnik GmbH的Tobias STEINEL等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。

     

會上，南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌做了題為“納米模板生長和制備非/半極性面LED及Micro-LED器件”的主題報告，介紹了MOCVD生長的半極性InGaN / GaN MQW，半極性微型LED的制造等最新研究成果。報告顯示，已經通過MOCVD通過納米圖案模板生長了半極性MQW，晶體質量大大提高。半極性MQW在長波長發(fā)射，快速載流子重組方面顯示出了它們的優(yōu)勢。量子點（QD）由于具有良好的光學特性，具有特征的尺寸，因此可用于微顯示應用。為RGB和白色發(fā)射器制造了填充有QD的微孔LED。已經實現(xiàn)了半極性微型LED器件。與c平面微型LED相比，其電子和光學性能是合理的。

  

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