11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。 

11月26日上午，“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)”分會如期召開。本屆分會由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、華燦光電股份有限公司、德國愛思強(qiáng)股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司協(xié)辦。

法國原子能委員會電子與信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室研究主任Francois TEMPLIER，北京大學(xué)教授陳志忠，德國ALLOS Semiconductors首席技術(shù)官Atsushi NISHIKAWA，美國Lumiode, Inc.創(chuàng)立者兼總裁Vincent LEE，北方華創(chuàng)PVD事業(yè)部LED產(chǎn)品經(jīng)理郭冰亮，和蓮光電科技股份有限公司董事長邰中和，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授劉斌，德國Instrument Systems optische Messtechnik GmbH的Tobias STEINEL等來自中外的強(qiáng)勢力量聯(lián)袂帶來精彩報(bào)告。

北京大學(xué)教授陳志忠做了題為“針對每平方厘米kW級別的高功率microLED三維熱量傳輸研究”的主題報(bào)告，報(bào)告指出，在藍(lán)寶石和GaN襯底上制造了不同尺寸的mLED。 通過正向電壓法，熱瞬態(tài)測量和紅外熱成像研究了mLED的3D熱特性。在電流注入水平為4 kA / cm²的情況下，GaN襯底上的mLED的結(jié)溫比藍(lán)寶石襯底上的mLED低約10oC，K因子的幅度較小。 紅外熱成像結(jié)果表明，溫度均勻分布在GaN襯底上。熱瞬態(tài)測量表明，GaN襯底上的mLED的臺面，外延層和GaN /襯底界面的熱阻顯著降低。這意味著高質(zhì)量的GaN晶體和均勻的界面對應(yīng)于聲子的很少散射。結(jié)合了GaN基板的小型mLED可以成為高亮度顯示和可見光通信的理想選擇。

 

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