11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。 

11月27日上午，“固態(tài)紫外器件技術”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司協(xié)辦。

第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優(yōu)勢，展現(xiàn)出巨大的應用潛力。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，南京大學教授陸海，臺灣交通大學特聘教授郭浩中，中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業(yè)大學教授張紫輝，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學高娜，南京大學王致遠等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現(xiàn)紫外發(fā)光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內(nèi)外最新進展。廈門大學教授康俊勇、中科院半導體所研究員、半導體照明研發(fā)中心主任王軍喜共同主持了本次分會。

會上，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF介紹了采用n-AlxGa1-xN低波導層連續(xù)分級生長的深紫外納米線激光二極管光學約束優(yōu)化的研究成果。研究針對深紫外納米線激光器提出了一種連續(xù)漸變的AlxGa1-xN低波導層結構。其新型結構的Al的占比從75%降低到66%，性能對比的就是75%的Al成分AlxGa1-xN激光器。結果顯示n型低波導層的分級抑制了光場的泄露并增加了電子的遷移，由于偏振電場的產(chǎn)生，所有的場都集中在整個活動區(qū)域附近，其導致了非常強的光約束性。

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）