11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
11月27日上午，“微波射頻與5G移動通信” 分會如期召開。本屆分會由蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯(lián)網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在5G通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業(yè)邁向新的高地。分會關注氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及HEMT器件在移動通信中的應用等各方面，呈現(xiàn)第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。
臺灣長庚大學教授邱顯欽、德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BR?CKNER、中興無線技術總工及技術委員會專家劉建利、西安電子科技大學教授劉志宏、北京國聯(lián)萬眾科技有限公司副總經理張志國、南京電子器件研究所高級工程師張凱、中國電子科技集團第41研究所張光山、河北半導體研究所王毅等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。河北半導體研究所副所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千共同主持了本次分會。
河北半導體研究所王毅做了題為“一種采用氮化鎵MMIC和的分離FET器件的HMIC封裝技術的便攜X波段功率放大器”的主題報告，結合他具體的實驗設計和分析，介紹了GaN高功率高增益固態(tài)功率放大器的設計過程，包括多種創(chuàng)新的設計方法。平衡的駕駛階段，具有良好的vswr和穩(wěn)定性。集成了偏置網絡的緊湊型功率級拓撲，設計開發(fā)了具有9-10GHz工作頻帶和130W輸出功率的放大器。
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