LED產(chǎn)業(yè)從未停止技術(shù)創(chuàng)新步伐，尤其緊跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型顯示相關(guān)的新技術(shù)一直都是產(chǎn)業(yè)追逐的焦點(diǎn)。半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)工藝及技術(shù)的革新都能引發(fā)產(chǎn)業(yè)極大關(guān)注。

 

　　11月25--27日，第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召開。“半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)II”分會作為SSLCHINA&IFWS2019論壇的重要技術(shù)分會之一，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、木林森、中科潞安、華燦光電、中微公司、歐司朗、有研稀土等單位的鼎力支持。

　　會上，邀請到了南昌大學(xué)張建立研究員分享了《面向長波段與低電流密度的硅基氮化鎵 LED》研究報告。他2014年畢業(yè)于南昌大學(xué)材料物理與化學(xué)專業(yè)，獲工學(xué)博士學(xué)位。現(xiàn)為南昌大學(xué)國家工程技術(shù)研究中心研究員，教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心主任，南昌大學(xué)“雙一流”學(xué)科建設(shè)發(fā)光新材料技術(shù)方向負(fù)責(zé)人。主要從事硅襯底GaN相關(guān)研究，包括MOCVD裝備研制、硅上GaN材料生長、InGaN長波段LED制備、LED材料與器件分析、多基色LED封裝、LED可見光通信、Micro-LED微顯示技術(shù)等。主持國家重點(diǎn)研發(fā)計劃課題、國家自然科學(xué)基金青年基金各1項。發(fā)表論文、論著20余篇，獲授權(quán)發(fā)明專利6項。

　　他表示，GaN基LED在藍(lán)光范圍取得成功后，正分別向短波長紫外波段和長波長黃紅光波段發(fā)展。2016年，本團(tuán)隊成功研制出硅襯底GaN基黃光LED，在20A/cm2驅(qū)動下，565nm光功率效率達(dá)到21.4%；近幾年來，光效持續(xù)提升，已達(dá)27.9%(180 lm/W)，并成功應(yīng)用于無需藍(lán)光激發(fā)、無熒光粉、純LED路燈、氛圍燈和景觀照明; 波長590nm橙光LED光效已達(dá)13.5%。

 

　　另一方面，本團(tuán)隊還發(fā)展了在低電流密度下高效工作的LED技術(shù)，在0.01A-1A/cm2范圍內(nèi)，540nm綠光LED峰值光效超過60%(350lm/W)，571nm黃光LED峰值光效達(dá)到47.9%(283lm/W)。低電流密度下高效GaN/Si基紅光LED值得期待，未來可望在Micro-LED領(lǐng)域有作為。【根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解！】