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2025-08-07 15:59CULCON前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所趙德剛：氮化鎵基紫外激光器技術(shù)
2024-12-03 09:19南京大學(xué)合作研制出國(guó)際上首款RGB全氮化鎵基芯片TFT基Micro-LED全彩顯示屏
2023-11-07 18:14中微公司：公司用于氮化鎵基LED外延生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在行業(yè)領(lǐng)先客戶生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)
2023-05-26 17:06Mojo Vision宣布成功開(kāi)發(fā)300mm藍(lán)色硅基氮化鎵Micro LED陣列晶圓
2023-05-23 08:45兆馳股份：新增52腔MOCVD及配套生產(chǎn)設(shè)備用于氮化鎵Mini LED芯片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目
2023-05-12 08:08氮化鎵來(lái)了如何解服務(wù)器電源高頻損耗難題
2023-01-16 15:58兆馳股份：用于氮化鎵Mini LED芯片項(xiàng)目擴(kuò)產(chǎn)的Prismo UniMax設(shè)備預(yù)計(jì)2023年上半年滿產(chǎn)
2022-11-08 10:46日企京瓷開(kāi)發(fā)生長(zhǎng)低缺陷micro LED氮化鎵器件新工藝
2022-06-22 11:51強(qiáng)芯沙龍第二期來(lái)襲！專家名企聚焦氮化鎵功率半導(dǎo)體材料與器件！
2022-03-03 11:18氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資，由歌爾股份領(lǐng)投
2022-02-23 11:06英國(guó)Porotech獲2000萬(wàn)美元融資，專注MicroLED微顯示技術(shù)和新型納米多孔氮化鎵材料技術(shù)
2022-01-04 14:04歐普照明：將GaN（氮化鎵）技術(shù)應(yīng)用于照明驅(qū)動(dòng)電源上
2021-12-15 17:03上海大學(xué)任開(kāi)琳：一種新型氮化鎵基Micro-LED及其驅(qū)動(dòng)HEMT的單片集成結(jié)構(gòu)
2021-11-30 14:23第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乘風(fēng)破浪，誰(shuí)將會(huì)傲立潮頭？
2021-08-25 17:00宏光照明投資半導(dǎo)體領(lǐng)域第三代氮化鎵設(shè)備龍頭VisIC
2020-12-04 17:06蘇州量芯微半導(dǎo)體傅玥：氮化鎵功率器件，應(yīng)用起航
2020-12-04 16:46英諾賽科陳鈺林：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展與市場(chǎng)前景
2020-11-26 16:21IFWS2020：功率電子器件及封裝技術(shù)分會(huì)氮化鎵專場(chǎng)深圳召開(kāi)
2020-11-10 17:40【IFWS2020】功率電子器件及封裝技術(shù)前沿展望之氮化鎵專場(chǎng)
2020-06-15 11:38碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC助力降低5G基站成本
2020-06-11 08:45碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為 5G 鋪平道路
2020-05-20 10:05科研人員研發(fā)新型氮化鎵器件 5G技術(shù)峰值速率超預(yù)期
2020-04-28 08:09【極智課堂】深圳大學(xué)材料學(xué)院劉新科：基于氮化鎵單晶襯底的半導(dǎo)體器件
2020-04-07 10:58利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片，將 microLED 應(yīng)用于硅產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域
2020-02-29 09:40【極智課堂】大連芯冠王榮華：從快充談起氮化鎵功率器件的應(yīng)用
2020-01-07 10:12氮化鎵代工爭(zhēng)奪戰(zhàn)開(kāi)打，誰(shuí)能拿下龍頭寶座？
2019-11-29 10:52南昌大學(xué)張建立研究員：面向長(zhǎng)波段與低電流密度的硅基氮化鎵 LED
2019-11-28 18:02南京電子器件研究所高級(jí)工程師張凱：一種新型毫米波氮化鎵高線性晶體管
2019-11-28 17:58臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)教授邱顯欽：適用于第五代行動(dòng)通訊六吋氮化鎵微波功放技術(shù)及基站功率電源模塊
2019-11-28 16:21英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇：硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
2019-11-28 14:40河北半導(dǎo)體研究所王毅：一種采用氮化鎵MMIC和的分離FET器件的HMIC封裝技術(shù)的便攜X波段功率放大器
2019-11-28 14:33西安電子科技大學(xué)教授劉志宏：高頻硅基氮化鎵晶體管
2019-11-28 09:38德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所部門(mén)技術(shù)部門(mén)經(jīng)理Peter BRüCKNER：高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC
2019-11-27 17:42日本國(guó)立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長(zhǎng)坂田修身：同步輻射X射線衍射法實(shí)現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化
2019-11-27 17:39俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV：碳化硅生長(zhǎng)和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長(zhǎng)模擬
2019-11-27 10:49美國(guó)Transphorm高級(jí)副總裁YifengWU：擊穿電壓超過(guò)650V同時(shí)結(jié)溫超過(guò)150°C的氮化鎵功率器件
2019-11-27 10:45加拿大GaN Power副總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人傅玥：氮化鎵：?jiǎn)?dòng)未來(lái)
2019-11-27 10:21德國(guó)ALLOS Semiconductors首席技術(shù)官Atsushi NISHIKAWA：通過(guò)高品質(zhì)硅基氮化鎵外延以實(shí)現(xiàn)無(wú)碳摻雜的高隔離性和高動(dòng)態(tài)表現(xiàn)
2019-11-27 10:11日本福井大學(xué)教授Masaaki KUZUHARA：基于半絕緣氮化鎵襯底生長(zhǎng)的高擊穿電壓氮化鎵HEMT器件
2019-11-27 10:03英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)
2019-11-26 21:13中國(guó)科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長(zhǎng)江風(fēng)益：從硅基氮化鎵LED進(jìn)展看半導(dǎo)體照明未來(lái)
2019-11-26 14:59美國(guó)國(guó)家工程院院士、加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm董事長(zhǎng)Umesh K. MISHRA：氮化鎵功率電子的價(jià)值前景
2018-11-13 14:04硅基氮化鎵技術(shù)助力5G發(fā)展
2018-11-09 14:34Veeco 與 ALLOS 以技術(shù)合作加快為全球主要客戶提供 200 mm 硅基氮化鎵 microLED 應(yīng)用
2018-11-02 08:46臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
2018-11-01 20:28蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元：以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性
2018-11-01 20:21西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平：用于微波無(wú)線電能傳輸?shù)?span id="bvr5d5f" class="highlight">氮化鎵射頻肖特基二極管
2018-10-31 19:00西安交通大學(xué)田震寰博士：激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字塔型柔性氮化鎵基LED
2018-10-30 15:04南京大學(xué)劉斌教授：氮化鎵微/納米LED與量子點(diǎn)混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件
2018-10-26 15:24IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會(huì)在深圳召開(kāi)
2017-12-21 09:22從產(chǎn)品到應(yīng)用 GaN（氮化鎵）將成為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展新動(dòng)力
2017-12-21 09:17宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出比等效MOSFET小型化8倍的40 V氮化鎵功率晶體管
2017-11-23 16:16英國(guó)IQE集團(tuán)副總裁Wayne JOHNSON ：?jiǎn)⒂孟冗M(jìn)技術(shù)
2017-11-10 11:37中國(guó)首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線在珠海投產(chǎn)
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2017-10-11 10:43市場(chǎng)需求逐漸起量氮化鎵功率電子器件市場(chǎng)商機(jī)無(wú)限
2017-09-08 09:13氮化鎵|美國(guó)納微半導(dǎo)體公司即將展出最新GaN功率芯片
2017-09-07 11:20技術(shù)薈|瑞士研發(fā)人員首次將氮化鎵材料應(yīng)用于平面柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2017-08-21 10:16溝槽填充p型氮化鎵可增加InGaN LED輸出功率
2017-08-10 10:37氮化鎵｜德國(guó)ALLOS公司對(duì)傳統(tǒng)硅基氮化鎵外延工藝提出質(zhì)疑
2017-08-02 09:34技術(shù)薈 | 硅基生長(zhǎng)氮化鎵器件的新方法？
2017-07-11 08:39碳化硅/氮化鎵元件開(kāi)始商用，電子產(chǎn)業(yè)迎來(lái)大革命
2017-07-07 09:28AIXTRON愛(ài)思強(qiáng)系統(tǒng)獲歐司朗驗(yàn)證合格，用于高性能氮化鎵LED生產(chǎn)
2017-04-18 15:20氮化鎵技術(shù)與應(yīng)用的神秘探究之旅
2016-11-29 08:37【SSLCHINA 2016】徐科：氮化鎵襯底生長(zhǎng)的最新進(jìn)展
2016-11-22 13:09【IFWS 2016】Marianne GERMAIN：大直徑硅外延片上的氮化鎵高效率的功率切換
2016-11-22 13:02【IFWS 2016】陳敬: 詳解氮化鎵功率器件MIS門(mén)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和可靠性
2016-11-22 12:58【IFWS 2016】程凱: 電力電子應(yīng)用的硅基氮化鎵平臺(tái)
2016-11-22 12:55【IFWS 2016】張翼: La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的氮化鎵增強(qiáng)型HEMT器件
2016-11-21 08:30【IFWS 2016】邱顯欽: 用SOI氮化鎵基板技術(shù)的高性能開(kāi)關(guān)電源和頻射功率器件
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2016-09-12 10:54新一代半極性氮化鎵發(fā)光材料研發(fā)歷程：帶來(lái)10倍亮度的照明
2016-09-12 09:58憑一片材料獲150萬(wàn)美元投資他帶來(lái)10倍亮度的照明
2016-08-29 10:09氮化鎵系統(tǒng)創(chuàng)始人退休
2016-03-04 08:48英國(guó)專家用半極性GaN生長(zhǎng)高效益LED
2016-02-17 14:15威科與IMEC合作力圖提高氮化鎵基功率器件性能
2016-02-15 08:19中國(guó)研發(fā)LED微芯片技術(shù)讓美國(guó)軍事科技擔(dān)憂
2016-02-15 08:03美國(guó)否決中資收購(gòu)飛利浦背后：阻止中國(guó)掌握第三代LED氮化鎵技術(shù)
2015-12-11 09:38晶元GaN-on-Si晶片即將量產(chǎn) 稱霸LED照明？
2015-11-26 09:49新一代功率半導(dǎo)體氧化鎵，開(kāi)始提供外延晶圓
2015-11-02 10:03美Soraa新建氮化鎵基板LED制造工廠 2016年下半年投產(chǎn)
2015-09-15 07:57蘇州能訊承擔(dān)863計(jì)劃課題順利通過(guò)科技部中期檢查
2015-09-14 09:12863計(jì)劃“大尺寸氮化鎵襯底制備與同質(zhì)外延技術(shù)研究”課題取得階段性成果
2015-09-07 11:02Cree改變策略重新命名兩部門(mén)為Wolfspeed
2015-08-11 11:36氮化鎵：開(kāi)啟終極半導(dǎo)體商業(yè)化革命
2014-12-24 00:00北美稱未來(lái)十年LED照明市場(chǎng)翻倍增長(zhǎng) 氮化鎵需求增長(zhǎng)
2014-11-06 00:00【SSLCHINA 2014】武東星：兩種有效解決大功率LED熱管理的封裝結(jié)構(gòu)
2014-11-06 00:00【SSLCHINA 2014】中科院半導(dǎo)體所劉志強(qiáng)副教授：固態(tài)照明的挑戰(zhàn)
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