LED產(chǎn)業(yè)從未停止技術(shù)創(chuàng)新步伐，尤其緊跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型顯示相關(guān)的新技術(shù)一直都是產(chǎn)業(yè)追逐的焦點(diǎn)。半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)工藝及技術(shù)的革新都能引發(fā)產(chǎn)業(yè)極大關(guān)注。

　　11月25--27日，第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召開。“半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)II”分會作為SSLCHINA&IFWS2019論壇的重要技術(shù)分會之一，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、木林森、中科潞安、華燦光電、中微公司、歐司朗、有研稀土等單位的鼎力支持。

　　會上，邀請到了西安交通大學(xué)助理研究員張敏妍在《空氣腔結(jié)構(gòu)在GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED工藝中的影響》研究報告。她2018年獲西安交通大學(xué)博士學(xué)位，正在致力于GaN基LED外延生長和制備。

 

　　研究發(fā)現(xiàn)，垂直結(jié)構(gòu)GaN基發(fā)光二極管（LED）在提高散熱和降低電流擁擠效應(yīng)方面具有很大優(yōu)勢，其制備工藝中激光剝離（LLO）技術(shù)是非常重要的工藝之一。由于剝離過程中產(chǎn)生的氣流沖擊，會破壞外延層從而影響LED器件性能。因此，我們通過激光加工的方法在LED外延層中嵌入了空氣腔結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)不僅可以降低LED外延層位錯密度，而且可以改善垂直結(jié)構(gòu)芯片制備工藝中激光剝離芯片龜裂和剝離損傷問題。【根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解！】