中國科學院半導體研究所研究員、山西中科潞安紫外光電科技有限公司副總經(jīng)理閆建昌博士將出席論壇，并將在11月25日下午舉辦的“固態(tài)紫外器件技術”分會上，分享《氮化物深紫外LED研發(fā)方向：從二維材料到納米結構》主題報告。

中國科學院半導體研究所研究員,、山西中科潞安紫外光電科技有限公司副總經(jīng)理閆建昌博士
 

閆建昌博士是中國科學院青年創(chuàng)新促進會會員，北京市科技新星計劃入選者。長期從事氮化物半導體材料和器件研究，尤其專注于氮化鎵半導體紫外發(fā)光二極管（UVLED）領域十余年，負責國家863計劃、自然科學基金、重點研發(fā)計劃等多項國家級科研項目，取得了具有國際影響力的研究成果。與美國、日本、歐洲等多國的領域著名研究機構開展了學術交流合作，并與產(chǎn)業(yè)界建立了良好的互動合作關系。
 

主持承擔國家863課題“深紫外LED外延生長及應用技術研究”，國際上首次在納米圖形藍寶石襯底(NPSS)上MOCVD外延出高質(zhì)量AlN材料，材料質(zhì)量為國際最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。相關研究獲得SemiconductorToday、CompoundSemiconductors等半導體界知名網(wǎng)站報導。主持自然科學基金項目“AlGaN基紫外激光二極管研究”，成功實現(xiàn)了國內(nèi)首個UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半導體量子結構的室溫受激發(fā)射。發(fā)表學術論文五十余篇，申請國家發(fā)明專利三十多項。獲中科院成果鑒定兩項，2012年度北京市科學技術獎一等獎、2015年度國家科學技術進步獎二等獎，2018年度北京市科技新星計劃入選者。
 

山西中科潞安紫外光電科技有限公司成立于2018年4月，由山西潞安礦業(yè)（集團）有限責任公司和北京中科優(yōu)唯科技有限公司合作共建，注冊資金4億元。公司依托中國科學院在氮化物深紫外LED領域多年的雄厚技術積累，致力于建立一個以中國為生產(chǎn)基地、世界領先的紫外LED光源產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)，提供具有世界領先水平的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案。
 

公司擁有深紫外LED領域的多項自主知識產(chǎn)權和核心專利技術，范圍涵蓋了從設備制造、外延生長到芯片制造等產(chǎn)業(yè)鏈上多個環(huán)節(jié)，可提供全波段UV LED（UVA、UVB、UVC）系列產(chǎn)品。目前，公司正在建設首條年產(chǎn)3000萬顆深紫外LED芯片生產(chǎn)線，預計2019年正式投產(chǎn)，二期將建設2億顆產(chǎn)能的深紫外LED芯片生產(chǎn)線。
 

山西中科潞安紫外光電科技有限公司將本著創(chuàng)新、合作、共贏的經(jīng)營理念，與合作伙伴共同推進深紫外LED產(chǎn)業(yè)的進步與發(fā)展。

分會上，閆建昌博士將與分會主席中科院半導體所研究員、半導體照明研發(fā)中心主任王軍喜與廈門大學教授康俊勇，以及康奈爾大學教授Debdeep JENA，北京大學教授、北京大學東莞光電研究院院長王新強，廈門大學教授蔡端俊，廈門三安光電股份有限公司副總經(jīng)理GaN事業(yè)部總經(jīng)理張中英，中科院寧波材料所副研究員郭煒，湖北大學材料科學與工程學院教授黎明鍇，河北半導體研究所高級工程師周幸葉等來自國內(nèi)外高校、科研院所的精英專家們聯(lián)袂帶來精彩報告，分享前沿研究成果。
 

本屆論壇緊扣國家十九屆五中全會和“十四五”等前瞻利好政策，以“綠色健康芯機遇·協(xié)同創(chuàng)新芯動能”為主題，屆時兩場國際性盛會同臺亮相，先進技術熱點高度聚焦，政產(chǎn)學研用行業(yè)領袖齊聚，共商未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
 

11月23-25日，深圳會展中心見！

（備注：日程仍有小幅度調(diào)整，請以會議當天為準。）

 

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