期間，由江蘇南大光電材料股份有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司協(xié)辦的“襯底、外延及生長(zhǎng)裝備”分會(huì)上，深圳大學(xué)副教授劉新科帶來(lái)了“大面積MoS2-on-GaN范德華異質(zhì)結(jié)的光子器件應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了MoS2在GaN材料上的生長(zhǎng)與制備，MoS2對(duì)GaN-PDs的表征，2D-on-6H技術(shù)方案概述等內(nèi)容。
 

研究采用基于GaN和MoS2之間幾乎晶格匹配的CVD方法，在4英寸獨(dú)立GaN上生長(zhǎng)了高質(zhì)量的多層MoS2（圖1）。采用光刻、ICP等技術(shù)制備了集成化紫外可見(jiàn)光探測(cè)器，對(duì)280nm波長(zhǎng)的紫外光和460nm的可見(jiàn)光具有不同的響應(yīng)效果。為了提高光電探測(cè)器的性能，在GaN和MoS2中引入拉伸應(yīng)變，用ALD沉積厚度為3nm的Al2O3應(yīng)力襯層。

拉伸應(yīng)變的引入改善了Al2O3應(yīng)力襯層光電探測(cè)器的光電性能，這一點(diǎn)可以通過(guò)第一性原理計(jì)算結(jié)果中有效電子質(zhì)量的減少得到證實(shí)。在拉伸應(yīng)變的作用下，光電探測(cè)器表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，其中應(yīng)力線GPD的最高響應(yīng)率為1.4×105A/W，應(yīng)力線MPD的最高響應(yīng)度為453.3 A/W；應(yīng)力線GPD的低NEP為5.63×10-21w/Hz1/2，高D*6.13×1021jones。此外，拉伸應(yīng)變提高了光電探測(cè)器的響應(yīng)速度，提高了載流子的遷移率，減少了H2O和O2分子在空氣中的吸附。這對(duì)多波段集成光電探測(cè)器的研制具有重要的指導(dǎo)意義。

劉新科是新加坡國(guó)立大學(xué)訪問(wèn)教授，長(zhǎng)期從事寬禁帶氮化鎵以及氮化鎵異質(zhì)結(jié)的半導(dǎo)體器件研究，在Adv. Mater., Adv.Funct.Mater., Adv. Electron. Mater. IEEE EDL, IEEE TED，APL等知名期刊發(fā)表第一或通信作者SCI收錄論文80篇，申請(qǐng)專(zhuān)利50項(xiàng)，授權(quán)專(zhuān)利9項(xiàng)（含3項(xiàng)PCT和1項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利), 科研成果被Semiconductor Today，MaterialsviewChina多次報(bào)道，科研成果被Photonic Research 和Advanced Electronic Materials選為封面文章。目前承擔(dān)國(guó)家科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題和任務(wù)各一項(xiàng)、國(guó)家自然科學(xué)青年和面上科學(xué)基金各一項(xiàng)、廣東省科技計(jì)劃項(xiàng)目一項(xiàng)、廣東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題三項(xiàng)，深圳市基礎(chǔ)研究布局一項(xiàng)、深圳市技術(shù)攻關(guān)一項(xiàng)等10多項(xiàng)科研項(xiàng)目。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）