近日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開。
期間，由江蘇南大光電材料股份有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司協(xié)辦的“襯底、外延及生長(zhǎng)裝備”分會(huì)上，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研發(fā)中心主任、山東大學(xué)副教授彭燕帶來了“SiC單晶材料及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展”的主題報(bào)告。
一代材料決定一代器件，碳化硅材料具有禁帶寬度越大，其熱學(xué)本征激發(fā)需要溫度越高，無需額外散熱裝置，減小整機(jī)體積等特質(zhì)。
報(bào)告顯示，電力電子SiC器件涉及高功率、高壓領(lǐng)域，如新能源汽車、高鐵運(yùn)輸、智能電網(wǎng)的逆變器等器件。技術(shù)發(fā)展&需求增加，yole報(bào)告指出SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的年均復(fù)合增速預(yù)計(jì)將達(dá)到38%。襯底材料涉及SiC substrate +epitaxy GaN 高能效LED；GaN高頻大功率微波器件，應(yīng)用雷達(dá)、武器和通信系統(tǒng)等方面。
碳化硅材料面臨的挑戰(zhàn)，主要來自成本與質(zhì)量。其中，成本涉及150毫米和更大直徑的碳化硅晶片以及成熟的技術(shù)，商用、高可靠性的產(chǎn)品。質(zhì)量方面涉及低位錯(cuò)密度、低應(yīng)力、P型襯底、生長(zhǎng)和加工新技術(shù)等。
彭燕，凝聚態(tài)物理博士，山東大學(xué)副教授/博士研究生導(dǎo)師，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研發(fā)中心主任。2011年6月畢業(yè)于山東大學(xué)，同年加入晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室工作。2017-2018年在美國(guó)田納西大學(xué)做訪問學(xué)者。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料研究工作，重點(diǎn)研究SiC、金剛石材料的制備、表征及應(yīng)用研究，先后主持、參與國(guó)家基礎(chǔ)研究計(jì)劃、973、核高基及自然科學(xué)基金項(xiàng)目等10余項(xiàng)，發(fā)表SCI論文40余篇，申請(qǐng)/授權(quán)專利近30項(xiàng)。
彭燕，凝聚態(tài)物理博士，山東大學(xué)副教授/博士研究生導(dǎo)師，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研發(fā)中心主任。2011年6月畢業(yè)于山東大學(xué)，同年加入晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室工作。2017-2018年在美國(guó)田納西大學(xué)做訪問學(xué)者。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料研究工作，重點(diǎn)研究SiC、金剛石材料的制備、表征及應(yīng)用研究，先后主持、參與國(guó)家基礎(chǔ)研究計(jì)劃、973、核高基及自然科學(xué)基金項(xiàng)目等10余項(xiàng)，發(fā)表SCI論文40余篇，申請(qǐng)/授權(quán)專利近30項(xiàng)。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
