近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

期間，由北京康美特科技股份有限公司，有研稀土新材料股份有限公司，寧波升譜光電股份有限公司，廣東晶科電子股份有限公司共同協(xié)辦的“半導體照明芯片、封裝及模組技術(shù)”分會上，中南大學特聘教授，微電子科學與工程系副主任汪煉成分享了同時具有較好照明顯色性和調(diào)制帶寬的單芯片無熒光粉白光LED的最新研究成果。
 

為了同時實現(xiàn)高質(zhì)量照明和可見光通信（VLC），面向VLC照明的GaN基白光發(fā)光二極管（WLEDs）引起了人們的極大興趣。然而，傳統(tǒng)熒光粉轉(zhuǎn)換WLEDs的總帶寬受到熒光粉壽命長、stokes傳輸過程慢、電阻電容（RC）時延和量子限制斯塔克效應(yīng)（QCSE）的限制。

研究采用MOCVD生長自組裝InGaN量子點（QDs）結(jié)構(gòu)，制備了相關(guān)色溫（CCT，CCT=1600k～6000k）可調(diào)的寬帶光譜無熒光單芯片白光LEDs，芯片面積為254um*584um，在72 A/cm2的低電流密度下，色溫為6000k，顯色指數(shù)（CRI）為75，同時獲得150 MHz調(diào)制帶寬。與傳統(tǒng)的InGaN/GaN量子阱（QWs）結(jié)構(gòu)相比，InGaN量子點的寬帶譜白光和高調(diào)制帶寬歸因于不同InGaN量子點（QDs）局域態(tài)對載流子的捕獲以及量子限制斯塔克效應(yīng)（QCSE）的避免。該方法將在GaN-WLEDs中找到潛在的應(yīng)用，并推動半導體照明通信集成的發(fā)展。本工作材料為揚州半導體照明公司李鴻漸博士和李盼盼提供，特別致謝。

半導體照明用LED器件發(fā)展相對成熟，但也還存在發(fā)光效率和色溫、顯色指數(shù)的兼顧等問題。而新型顯示、可見光通信、生物醫(yī)療以及AR/VR等對GaN基LED元器件本身性能提出了更多的要求。先進GaN基LED元器件，不僅僅在于發(fā)光效率，其發(fā)光調(diào)制速度、發(fā)光光束、發(fā)光光譜、顯色性以及柔性制造及可靠性，系統(tǒng)集成等方面還有很大研發(fā)空間。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）