近日，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開。

 

期間，由北京康美特科技股份有限公司，有研稀土新材料股份有限公司，寧波升譜光電股份有限公司，廣東晶科電子股份有限公司共同協(xié)辦的“半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)”分會(huì)上，北京理工大學(xué)李飛分享了面向液晶顯示背光應(yīng)用的紅光鈣鈦礦量子點(diǎn)光學(xué)膜的研究成果。

鈣鈦礦量子點(diǎn)具有優(yōu)異的發(fā)光性能、簡單制造工藝等特點(diǎn)，成為新一代顯示發(fā)光材料。同時(shí)也面臨著諸多挑戰(zhàn)，比如需要設(shè)計(jì)和制造具有適當(dāng)發(fā)射波長、窄半峰寬和高發(fā)光效率的鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜（PQDF）。開發(fā)高穩(wěn)定性的鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜以滿足商業(yè)應(yīng)用需求。與綠光量子點(diǎn)相比，紅光鈣鈦礦量子點(diǎn)的發(fā)展相對(duì)落后，限制了其顯示應(yīng)用發(fā)展。最近在鈣鈦礦量子點(diǎn)原位制備的基礎(chǔ)上，研究課題組發(fā)展了紅光γ-RbxCs1-xPbI3梯度合金鈣鈦礦量子點(diǎn)光學(xué)膜的原位制備技術(shù)。

通過控制Rb與Cs的比例，所制備的光學(xué)膜熒光發(fā)射峰可以在620 nm~675 nm之間調(diào)節(jié)，最小半峰寬達(dá)32 nm，最高熒光量子產(chǎn)率達(dá)91%，封裝后老化1000 h發(fā)光強(qiáng)度下降小于5%，符合顯示背光應(yīng)用的要求。該紅光鈣鈦礦量子點(diǎn)膜優(yōu)異的發(fā)光性能和穩(wěn)定性為實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦量子點(diǎn)材料在顯示中的實(shí)際應(yīng)用提供了可能性。與綠光鈣鈦礦量子點(diǎn)膜復(fù)合后，展示了色域?yàn)?30% NTSC的背光模組及顯示屏。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）