近日，國星光電官方公眾號(hào)顯示，國星光電及華南理工大學(xué)聯(lián)合建立的廣東省半導(dǎo)體微顯示企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的最新研究成果“Toward 200 Lumens per Watt of Quantum-Dot White-Light-Emitting Diodes by Reducing Reabsorption Loss”發(fā)表在國際期刊《ACS Nano》。該成果刷新了同類器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀(jì)錄，有望加快該新技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程，并鞏固國星光電在Mini/Micro LED顯示器件領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢地位。

圖片來源：國星光電

 

量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換技術(shù)是Mini/Micro LED、OLED以及LCD寬色域顯示的共性關(guān)鍵技術(shù)，在超清顯示、虛擬顯示等新興領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力。

 

目前，硒化鎘、鈣鈦礦等量子點(diǎn)的光致發(fā)光效率已超過85%，高于傳統(tǒng)稀土熒光粉材料，然而封裝制成LED器件的發(fā)光效率普遍在50-130 lm/W（理論效率＞200 lm/W），上述矛盾已困擾學(xué)界與行業(yè)多年，低下的發(fā)光效率嚴(yán)重制約量子點(diǎn)LED顯示技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用。

 

該成果提出直方通孔復(fù)合量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及其強(qiáng)化出光機(jī)制，利用濕法機(jī)械攪拌把量子點(diǎn)高效組裝于粒徑匹配的直方通孔結(jié)構(gòu)，通孔結(jié)構(gòu)被低折射率硅樹脂填充，所形成折射率差異可抑制熒光光子在通孔內(nèi)部硅樹脂基材的傳播，顯著減少重吸收損耗。最終成功突破了量子點(diǎn)LED器件的發(fā)光效率瓶頸，獲得超過200 lm/W的同類器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀(jì)錄（經(jīng)CNAS認(rèn)證第三方機(jī)構(gòu)檢測）。

 

據(jù)了解，由國星光電聯(lián)合華南理工大學(xué)等高校研究所共同組建的廣東省半導(dǎo)體微顯示企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，旨在重點(diǎn)攻克超高清半導(dǎo)體微顯示領(lǐng)域的行業(yè)共性技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化與示范性應(yīng)用。