此項技術(shù)融合了多方智慧的結(jié)晶。據(jù)悉，美國麻省理工團隊首先發(fā)現(xiàn)在二維材料上搭配半金屬鉍（Bi）的電極，能大幅降低電阻并提高傳輸電流。隨后臺積電技術(shù)研究部門將鉍（Bi）沉積制程進行優(yōu)化，臺灣大學(xué)團隊并運用氦離子束微影系統(tǒng)將元件通道成功縮小至納米尺寸，最終這項研究成果獲得了突破性的進展。

 

臺灣大學(xué)在14日指出，目前，半導(dǎo)體主流制程主要采用硅作為主流材料。然而，隨著摩爾定律不斷延伸，芯片制程不斷縮小，芯片單位面積能容納的電晶體數(shù)目，也將逼近半導(dǎo)體主流材料硅的物理極限，芯片的性能也很難再進一步提升。盡管一直以來科學(xué)界對二維材料寄予厚望，卻苦于無法解決二維材料高電阻、及低電流等問題，以至于取代硅成為新興半導(dǎo)體材料一事，始終是空中樓閣?？梢?，此次利用半金屬鉍（Bi）作為二維材料的接觸電極可謂是邁向1nm甚至更先進制程的關(guān)鍵一步

 

對此，復(fù)旦大學(xué)教授周鵬認(rèn)為，此項技術(shù)的突破，也給我國半導(dǎo)體的發(fā)展帶來了新的思路。“這項新技術(shù)的突破，將解決二維半導(dǎo)體進入產(chǎn)業(yè)界的主要問題，是集成電路能在后摩爾時代繼續(xù)前進的重要技術(shù)。二維半導(dǎo)體已被國際主要前沿集成電路研發(fā)機構(gòu)重金投入，不管是在工藝突破還是新器件結(jié)構(gòu)及設(shè)計制造方面，我國都處于同等位置，應(yīng)該進一步加強優(yōu)勢，補足短板，在新一代集成電路關(guān)鍵技術(shù)上與國際機構(gòu)形成競爭互補關(guān)系。”周鵬向《中國電子報》記者說道。

 

隨著芯片制程的不斷延伸，每突破一步都是非常困難，在未來1nm甚至1nm以下的工藝中，如何能夠把控好性能與功耗之間的平衡是目前需要突破的一大技術(shù)瓶頸。對此，周鵬認(rèn)為，在未來性能與功耗平衡上，此次二維半導(dǎo)體的接觸電極技術(shù)的突破，將推動高性能低功耗CPU及存儲器的發(fā)展。未來，在關(guān)鍵工藝上實現(xiàn)碳硅融合也將是我國取得競爭優(yōu)勢的重要砝碼。