2月8日，蘇州東微半導體股份有限公司日前發(fā)布了首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市發(fā)行結果公告，其股票簡稱為東微半導，股票代碼為688261，這也意味著，東微半導即將在上交所科創(chuàng)板上市。
公開資料顯示，東微半導是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術驅動型半導體企業(yè)，其產品專注于工業(yè)及汽車相關等中大功率應用領域。公司憑借優(yōu)秀的半導體器件與工藝創(chuàng)新能力，集中優(yōu)勢資源聚焦新型功率器件的開發(fā)，是國內少數(shù)具備從專利到量產完整經(jīng)驗的高性能功率器件設計公司之一，并在應用于工業(yè)級領域的高壓超級結、中低壓SGT功率器件、IGBT芯片領域實現(xiàn)了國產化替代。從公司的公開資料中可以看出東微半導更多地強調其技術的原創(chuàng)性，并依托對器件結構和工藝的創(chuàng)新凸顯產品的領先性，在國內眾多功率半導體廠商中獨樹一幟。
專注工業(yè)及汽車市場，人均產值超千萬元
近年來，碳中和、碳達峰、新能源汽車、5G和云計算等新技術應用需求迎來了爆發(fā)性增長，而功率半導體是在上述應用中實現(xiàn)電能轉換的核心基礎元器件。公開信息顯示，東微半導的業(yè)務大多來自于工業(yè)級和汽車相關應用。業(yè)內周知，相對于消費電子市場，工業(yè)及汽車市場對芯片的性能和品質要求更高，存在著較高的技術壁壘。在功率器件領域，應用于新能源汽車的芯片基本被進口芯片品牌壟斷，僅極少數(shù)國內芯片供應商能夠進入上述領域，而東微半導便是其中的佼佼者。經(jīng)過多年驗證，2021年公司產品開始批量進入比亞迪新能源車，成功進軍車載芯片市場。
招股書披露，東微半導預計2021年度營業(yè)收入為7.72億元至8.03億元，同比增長150%至160%；預計2021年度歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.32億元至1.53億元，同比增長377%至453%；預計2021年度扣非后的凈利潤為1.27億元至1.47億元，同比增長522%至620%。2021年公司業(yè)績暴增的主要原因是受益新能源汽車充電樁、通信電源以及光伏逆變器的需求暴增。
招股書顯示，截至2021年6月30日東微半導的研發(fā)人員占比46%，按其員工數(shù)推算，預計人均產值超過1000萬元，屬于典型的技術密集型芯片設計高科技公司。
中國半導體協(xié)會魏少軍曾公開表示，2021年我國芯片設計業(yè)從業(yè)人員約為22.1萬人，人均產值207.6萬元。東微半導的人均產值約是國內芯片設計行業(yè)人均產值的5倍，處于行業(yè)領先水平。
人均產值遠高于同行水平，離不開東微半導優(yōu)秀的研發(fā)團隊。東微半導創(chuàng)辦于2008年，王鵬飛和龔軼是公司聯(lián)合創(chuàng)始人和聯(lián)合實控人，兩人都有在國外留學與工作的經(jīng)歷，有豐富的集成電路產業(yè)經(jīng)驗。其中，CTO王鵬飛博士曾擔任復旦大學微電子學院教授十余年，在學術方面也有一定的知名度。
據(jù)公開資料顯示，早在2013年8月，王鵬飛博士就曾聯(lián)合東微與復旦大學在美國頂級期刊《Science》上合作發(fā)表過關于一種新型微電子元器件的重量級論文，并因此被新聞聯(lián)播、人民日報、文匯報等權威媒體頭條報道。
美國《Science》期刊是全球最著名的科技期刊，也是國際上最具代表性、知名度和權威性的綜合性學術期刊之一，享有極高的學術聲譽和世界影響力。在此之前，中國企業(yè)從未在《Science》上發(fā)表過微電子器件方面的研究論文，而東微半導能夠在如此高級別的學術期刊上發(fā)表論文，反映了公司在微電子基礎元器件方面強悍的創(chuàng)新能力。東微半導的研發(fā)團隊專注深耕新型微電子器件領域，通過對半導體器件技術的底層創(chuàng)新為公司的長期高質量發(fā)展鑄造起極深的技術護城河。
打造王牌產品，性能優(yōu)于國際同行
通過查閱招股書，集微網(wǎng)發(fā)現(xiàn)了東微半導的眾多技術亮點，包括國際領先的超級結 MOSFET、超級硅MOSFET技術、業(yè)內獨創(chuàng)的Tri-gate IGBT技術以及Hybrid-FET器件技術等。
據(jù)了解，高壓超級結MOSFET是東微半導的王牌產品，也是其功率分立器件領域中占比最大的產品，高壓超級結MOSFET器件具有高頻、易驅動、功率密度高等特點，應用領域非常廣泛，涵蓋通信、汽車電子、工業(yè)控制、光伏、儲能、智能電網(wǎng)、消費電子等領域。
不過，長期以來，高壓超級結MOSFET市場主要被進口廠商占據(jù)，國內高性能高壓超級結MOSFET功率器件市場占比較小。在此情況下，東微半導自成立以來積極投入對高壓超級結MOSFET產品的研發(fā)，并得到了華為、比亞迪、特銳德、通用電氣、視源股份、英飛源、英可瑞、高斯寶、金升陽、雷能、美的、創(chuàng)維、康佳等全球知名客戶的認可，取得良好的市場口碑。
2016年4月14日，人民日報刊登了東微半導的高壓超級結MOSFET在充電樁用高壓高速核心半導體器件領域首次實現(xiàn)國產化的報道，確定了東微半導在充電樁功率器件領域“國產第一芯”的地位。
招股書顯示，東微半導最先進的高壓超級結產品OSG65R017HT3F的導通電阻為14mohm，與國際領先品牌英飛凌最小的導通電阻15mohm處于相似水平，而公司產品的650V耐壓要高于英飛凌的600V耐壓，綜合性能優(yōu)勢明顯。對于MOSFET而言，導通電阻是一個重要的性能參數(shù)，該數(shù)值越小，MOSFET工作時的功率損耗越小，也越能體現(xiàn)公司的技術創(chuàng)新能力。
值得一提的是，東微半導于2016年提出的超級硅系列產品性能更為突出，OSS60R190FF型號的優(yōu)值（FOM）為2.53Ω·nC，優(yōu)于全部國際品牌在相同平臺下臨近規(guī)格的優(yōu)值，包括英飛凌最新一代產品IPDD60R190G7。
東微半導的產品性能之所以能在眾多進口芯片中占據(jù)優(yōu)勢地位，主要得益于其深厚的積累和技術創(chuàng)新能力。在高壓超級結MOSFET技術領域，東微半導積累了包括優(yōu)化電荷平衡技術、優(yōu)化柵極設計及緩變電容核心原胞結構等行業(yè)領先的專利技術，產品的關鍵技術指標達到了與國際領先廠商可比的水平。在中低壓SGT MOSFET領域，公司亦積累了包括優(yōu)化電荷平衡、自對準加工等核心技術，產品的關鍵技術指標達到了國內領先水平。
不走尋常路，開發(fā)原創(chuàng)Tri-gate IGBT實現(xiàn)批量出貨
得益于新能源產業(yè)的高速發(fā)展，近年來下游應用對IGBT器件的需求增長迅速。當前國際上主流的IGBT使用的是溝槽柵FS-IGBT結構。而東微半導提出的Tri-gate IGBT（TGBT）是一種國際上首創(chuàng)的器件結構，實現(xiàn)了載流子濃度大幅增強，并通過電場調制提高耐壓，實現(xiàn)了高電流密度、低開關損耗等性能優(yōu)勢。同時，由于采用創(chuàng)新器件結構，東微半導的IGBT的電流密度大幅提高，其芯片面積進一步縮小，突破了傳統(tǒng)IGBT的電流密度水平，直接消除了多年以來國產IGBT與進口IGBT芯片之間的技術代差。由于性能趕超了傳統(tǒng)trench結構的IGBT，東微半導將這種新型Tri-gate IGBT命名為TGBT。
招股書指出，東微半導的IGBT產品通過優(yōu)化器件內部的載流子分布，提高了電流密度，在不提高飽和壓降Vce,sat的情況下實現(xiàn)了較低的關閉損耗Eoff。比如，公司的低飽和壓降系列650V75A芯片OST75N65HSZF，可以在Eoff相對于OST75N65HZF基本不變的情況下（0.9mJ），將飽和壓降Vce,sat典型值降低到了1.50V，性能處于國際領先水平。目前，Tri-gate IGBT（TGBT）產品已在光伏逆變、儲能、充電樁模塊、電機驅動等領域批量出貨。
通過查閱東微半導的公司官方網(wǎng)站，集微網(wǎng)發(fā)現(xiàn)其IGBT規(guī)格已經(jīng)達到31個，芯片電壓從600V做到了1350V。由于國內IGBT產業(yè)起步較晚，目前國產替代還處于起步階段，東微半導的Tri-gate IGBT技術帶來的性能優(yōu)勢有望帶來其在各高性能高可靠性應用領域的爆發(fā)性增長。在國產替代行業(yè)趨勢和自身產品性能優(yōu)勢的助力下，必將成長為公司新的王牌產品。
SiC產品低調面世，持續(xù)深耕高性能功率器件
除加碼當前炙手可熱的IGBT外，東微半導于2021年7月立項了第三代半導體SiC功率器件自主研發(fā)項目，主要針對以碳化硅的為襯底的第三代半導體材料功率器件進行研發(fā)。
令人意外的是，在東微半導的官網(wǎng)上居然出現(xiàn)了四款SiC相關器件和三款Hybrid-FET器件。
毫無疑問，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，相對硅基功率器件而言，碳化硅或氮化鎵器件在新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景都有著一定的優(yōu)勢。
隨著“碳中和”、“碳達峰”的火熱討論，綠色用電、高效發(fā)電顯得至關重要，而新能源汽車、5G等新技術應用更是加速了第三代半導體產業(yè)化需求，在此背景下，業(yè)內人士紛紛認為，具備可提升能源轉換效率特點的第三代半導體產業(yè)將進入發(fā)展快車道。
筆者也注意到，東微半導此次募投中的研發(fā)工程中心建設項目計劃在SiC器件、新型硅基高壓功率器件方向進行布局，為公司的可持續(xù)發(fā)展提供更有力的技術支撐。東微半導提早布局并推出碳化硅功率器件，能夠持續(xù)擴產公司產品類型，為客戶提供更加完整的高性能功率器件產品，也將為將來的發(fā)展提供了更大的想象空間。
除此之外，基于業(yè)內獨創(chuàng)的Tri-gate IGBT技術，東微半導的研發(fā)團隊創(chuàng)造性地提出了Hybrid-FET器件結構，該器件在大幅提高功率器件功率密度的同時，能夠維持較高的開關速度，可明顯提升系統(tǒng)效率。
從高壓超級結MOSFET、IGBT到SiC、Hybrid-FET器件，東微半導一直圍繞著高性能功率器件技術不斷深耕，憑借其強大的底層技術創(chuàng)新能力，也讓公司站在功率器件行業(yè)的技術高點，并在芯片國產率較低的工業(yè)及汽車領域留下了濃墨重彩的一筆。
集微網(wǎng)研讀了東微半導的招股書和以往公開的資料，發(fā)現(xiàn)多項令人意外的技術亮點，也就不難理解這家素來低調的技術流Fabless公司為何同時被大基金和華為看上。東微半導順利打造出高性能的高壓超級結MOSFET，憑借著獨創(chuàng)的Tri-gate IGBT技術，東微半導又順利進入IGBT市場，并開發(fā)出第三代半導體芯片。相信東微半導成功IPO之后，勢必會不斷擴充公司產品結構，逐漸成長為擁有多元化產品的功率半導體廠商，并向更高端的功率器件市場發(fā)起沖擊，實現(xiàn)高質量的高速可持續(xù)發(fā)展。（校對/薩米）
