半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：8月17日，第十七屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議在山西太原勝利閉幕。

 

大會(huì)主席、半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任李晉閩研究員，國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息學(xué)部副主任何杰，中北大學(xué)校長(zhǎng)熊繼軍教授，北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授沈波，西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)張進(jìn)成教授，鄭州大學(xué)副校長(zhǎng)單崇新教授等嘉賓出席了閉幕式。

 

 

閉幕式的大會(huì)主題報(bào)告環(huán)節(jié)，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)一些關(guān)鍵難題分享了最新研究進(jìn)展和成果。北京大學(xué)沈波教授帶來(lái)了題為“氮化物寬禁帶半導(dǎo)體大失配異質(zhì)外延新進(jìn)展”的主題報(bào)告；山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授（朱振博士代）做了題為“GaAs半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展”的主題報(bào)告；中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員（劉宗亮博士代）帶來(lái)了“氮化鎵單晶襯底生長(zhǎng)與應(yīng)用進(jìn)展”的主題報(bào)告。山西師范大學(xué)校黨委副書記、校長(zhǎng)許小紅教授主持了大會(huì)報(bào)告環(huán)節(jié)。

 

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長(zhǎng)光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過(guò)異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來(lái)制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。

沈波教授在報(bào)告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長(zhǎng)問(wèn)題、詳細(xì)分享了藍(lán)寶石上AIN AIGaN的外延生長(zhǎng)和p型/n型摻雜，Si上GaN、AIN的外延生長(zhǎng)的最新研究進(jìn)展和成果。提出了多種有針對(duì)性的的外延生長(zhǎng)和p型/n型摻雜方法，發(fā)明了多種有針對(duì)性的外延生長(zhǎng)方法。報(bào)告指出，由于異質(zhì)外延體系大失配，強(qiáng)極性的特征，氮化物的半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)和摻雜依然面臨一系列關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題，需從生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)，缺陷物理和應(yīng)力控制等角度開展系統(tǒng)的研究。

 

半導(dǎo)體激光器的理論和實(shí)踐都取得巨大成果。近年來(lái),GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢(shì)，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問(wèn)題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問(wèn)題，如何進(jìn)一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報(bào)告中，詳細(xì)分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進(jìn)展，報(bào)告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x（905-1060）nm系列的半導(dǎo)體激光器芯片在市場(chǎng)需求牽引下發(fā)展迅速，已經(jīng)突破影響激光器的壽命和可靠性問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了從材料、芯片、模組全鏈條產(chǎn)業(yè)化。

 

常見的氮化鎵器件為在異質(zhì)襯底上長(zhǎng)氮化鎵外延層制作成半導(dǎo)體器件。但由于使用的是異質(zhì)襯底，材料之間存在著晶格失配與熱失配導(dǎo)致外延材料位錯(cuò)密度比較高，阻礙了相關(guān)器件性能的提升及其穩(wěn)定性。采用氮化鎵單晶襯底實(shí)現(xiàn)同質(zhì)外延是提高氮化鎵外延層晶體質(zhì)量進(jìn)而提高氮化鎵器件的主要途徑。劉宗亮博士在報(bào)告中結(jié)合GaN材料生長(zhǎng)制備的主要方法及挑戰(zhàn)，GaN單晶制備的主要方法與特點(diǎn)以及國(guó)際上GaN單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展等，分享了GaN單晶襯底生長(zhǎng)的多種方法，難點(diǎn)解決以及研究成果。涉及報(bào)告指出，未來(lái)向更高功率密度，更小的芯片發(fā)展，需要高質(zhì)量的同質(zhì)外延技術(shù)，氮化鎵單晶襯底的發(fā)展，距離全面的市場(chǎng)成熟，仍然需要更大力度的創(chuàng)新研究。

 

 
主題對(duì)話
 

隨后的主題對(duì)話環(huán)節(jié)，北京大學(xué)沈波教授主持下，中科院半導(dǎo)體所研究員趙德剛，中微半導(dǎo)體公司副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平，清華大學(xué)長(zhǎng)聘副教授汪萊，中科院蘇州納米所研究員孫錢，南京大學(xué)教授陳鵬，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所研究員孫曉娟，南京大學(xué)教授陸海，江南大學(xué)教授敖金平，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)、教授龍世兵，浙江大學(xué)研究員、電力電子技術(shù)研究所副所長(zhǎng)楊樹，中科院微電子研究所研究員黃森等學(xué)界、業(yè)界中青代骨干力量齊聚，圍繞著“MOCVD外延技術(shù)和裝備面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢(shì)”與“碳化硅、氮化鎵和氧化鎵功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域、關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題及解決之道”兩大主題，臺(tái)上臺(tái)下展開探討，從不同的角度分享不同見解，觀點(diǎn)碰撞，氣氛熱烈。

 

大會(huì)組委會(huì)主任、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員王軍喜代表組委會(huì)介紹了本屆會(huì)議籌辦情況，本次會(huì)議得到了業(yè)界、學(xué)界廣泛的支持與積極參與，本屆會(huì)議為期兩天，包含開閉幕式兩場(chǎng)大會(huì)，四個(gè)主題分會(huì)。邀請(qǐng)報(bào)告50個(gè)，口頭報(bào)告62個(gè)，海報(bào)展示166張，論文摘要錄用280篇。根據(jù)注冊(cè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示參會(huì)代表超過(guò)500人，線上開閉幕式報(bào)告直播觀看人次超過(guò)5000+。根據(jù)注冊(cè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示超過(guò)200家單位機(jī)構(gòu)參與，實(shí)際參會(huì)人數(shù)近700人。

 

此外，閉幕式期間，大會(huì)主席、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員，中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長(zhǎng)阮軍，山西師范大學(xué)校黨委副書記、校長(zhǎng)許小紅教授，中北大學(xué)校長(zhǎng)熊繼軍教授，鄭州大學(xué)副校長(zhǎng)單崇新教授共同為本次會(huì)議優(yōu)秀海報(bào)獎(jiǎng)獲得者頒發(fā)獎(jiǎng)勵(lì)。

 
優(yōu)秀海報(bào)獎(jiǎng)獲得者頒獎(jiǎng)

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)龍世兵教授介紹下一屆會(huì)議籌備情況

第十八屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議將由中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)主辦，于湖北恩施舉辦。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng)龍世兵教授介紹了會(huì)議籌備情況，并向業(yè)界、學(xué)界的專家學(xué)者、青年學(xué)子們發(fā)出積極邀請(qǐng)。