近日，成都辰顯光電有限公司（以下簡稱辰顯光電）在成都高新區(qū)成功點亮了國內(nèi)首款P0.5 TFT基無邊框29英寸Micro-LED拼接屏。該拼接屏采用了25微米LED芯片，由4個14.5英寸Micro-LED箱體拼接組成，像素間距為500微米，在行業(yè)內(nèi)處于領先地位。

這款拼接屏采用了國內(nèi)首款Micro-LED專用驅(qū)動IC，實現(xiàn)了10 bit色深和240 Hz高刷新率，并配合特有的De-Mura方案，顯著提升了顯示效果。

同時，辰顯光電還采用了自主研發(fā)的混合驅(qū)動電路架構(gòu)，成功實現(xiàn)了600 nit亮度（支持HDR功能，最高可達1000 nit）。

此外，該拼接屏還取得了多項重要的技術突破：

1、國內(nèi)首款P0.5 TFT基Micro-LED大尺寸拼接屏，實現(xiàn)了真正意義上的無限拼接

在Micro-LED顯示技術的發(fā)展中，無限拼接一直被視為一項重要的目標。辰顯光電目前實現(xiàn)的這項技術突破使得TFT基Micro-LED屏幕在大尺寸拼接領域擁有了更高的分辨率和更出色的顯示效果。用戶能夠根據(jù)自己的需求，自由拼接Micro-LED屏幕，形成任意尺寸的顯示畫面，為高端應用提供了更加靈活和多樣化的解決方案。

2、封裝反射率降低到5%以下

辰顯光電成功降低了IJP（Inkjet Printing）封裝的反射率，使其穩(wěn)定在5%以下。IJP技術是Micro-LED封裝的關鍵步驟之一，其高反射率一直是制約Micro-LED顯示品質(zhì)的挑戰(zhàn)之一。通過技術團隊的不懈努力，辰顯光電成功地克服了這一難題，確保Micro-LED顯示畫面在高亮度狀態(tài)下仍然保持出色的顯示效果，為用戶帶來更加清晰和逼真的視覺體驗。

值得一提的是，辰顯光電還引入了自主開發(fā)的高速巨量轉(zhuǎn)移技術，將25微米LED芯片轉(zhuǎn)移良率提升至99.995%。同時，采用了LED后處理技術，確保了顯示色彩的一致性和鮮艷度。

為了推動Micro-LED顯示技術在中國的發(fā)展，今年7月辰顯光電已經(jīng)與成都高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會正式簽署了Micro-LED顯示屏生產(chǎn)基地項目投資合作協(xié)議。這意味著全球首條TFT基Micro-LED顯示屏生產(chǎn)線即將在四川成都正式啟動。據(jù)預測，辰顯光電的TFT基Micro-LED產(chǎn)品將在2024年進入正式出貨階段。

這一突破性的進展將為用戶帶來全新的驚喜，同時對整個顯示產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生積極的推動作用。辰顯光電在Micro-LED技術領域的不斷創(chuàng)新和發(fā)展，為中國顯示技術走向國際舞臺提供了強有力的支持。