為貫徹國家創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，積極培育和發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，聚焦發(fā)掘我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要科技進(jìn)展，進(jìn)一步擴(kuò)大優(yōu)秀科研成果的影響力和輻射面，助推優(yōu)秀技術(shù)成果轉(zhuǎn)化為新質(zhì)生產(chǎn)力，實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，賦能我國產(chǎn)業(yè)不斷攀升全球價(jià)值鏈的最高端。
第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2025）將于2025年11月11-14日在廈門舉辦！作為大會(huì)備受關(guān)注的‘年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展’評(píng)選，去年一經(jīng)公布，受到了行業(yè)的廣泛關(guān)注。經(jīng)大會(huì)程序委員會(huì)合議，啟動(dòng)“2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展”的征集和評(píng)選工作?，F(xiàn)將具體事項(xiàng)通知如下：
一、申報(bào)主體
（一）在中國大陸、香港和澳門地區(qū)注冊(cè)，技術(shù)研發(fā)和企業(yè)管理以華人為主體的企業(yè)；
（二）具備自主研發(fā)能力的高等院校、科研院所等機(jī)構(gòu)或團(tuán)隊(duì)；
二、成果申報(bào)條件
（一）在2024年10月至2025年10月期間，從事第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)研究的科研院所、高校、企業(yè)等取得的重要科技進(jìn)展，且為項(xiàng)目的主要完成單位，或科研人員為項(xiàng)目的主要完成人。
（二）參選成果具有創(chuàng)新性、突破性和引領(lǐng)性，或在國際（國內(nèi)）頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊發(fā)表論文；
（三）新技術(shù)、新產(chǎn)品等在年度內(nèi)引發(fā)熱點(diǎn)或產(chǎn)生重大影響力；
（四）技術(shù)、產(chǎn)品、解決方案等突破創(chuàng)新，解決了產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵問題；
三、成果征集方式
采用公開征集方式，面向國內(nèi)科研院所、高等院校及企事業(yè)單位廣泛征集，設(shè)有自薦、推薦和定向征集三種方式。
四、評(píng)審程序
（一）材料審核。由秘書處匯總各渠道推薦成果，對(duì)推薦材料進(jìn)行形式審查，確定進(jìn)入初評(píng)的有效候選成果。
（二）初評(píng)。由程序委員會(huì)專家在線對(duì)申報(bào)材料集中初評(píng)，投票產(chǎn)生30項(xiàng)擬入選候選成果。
（三）終評(píng)。由終評(píng)專家組對(duì)30項(xiàng)正式候選成果進(jìn)行打分，根據(jù)打分結(jié)果產(chǎn)生10項(xiàng)“2025年度第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)十大進(jìn)展”。
五、表彰及宣傳
（一）發(fā)布。最終結(jié)果將在IFWS&SSLCHINA2025論壇開幕大會(huì)上重磅發(fā)布。
（二）榮譽(yù)證書。十大進(jìn)展入選成果將現(xiàn)場頒發(fā)榮譽(yù)證書。
（三）宣傳。所有征集成果都將在大會(huì)官網(wǎng)及相關(guān)媒體宣傳。
六、評(píng)審程序及時(shí)間安排
（一）須填寫《十大進(jìn)展申報(bào)表》（見附件），成果簡介300-500字左右且要突出重點(diǎn)、簡明扼要，并提交相關(guān)指標(biāo)圖片及附件材料。
（二）請(qǐng)務(wù)必于2025年10月20日前提交電子版申報(bào)材料，包括申報(bào)表word文件、有關(guān)證明材料pdf文件、成果匯報(bào)視頻。請(qǐng)一并郵件發(fā)送至郵箱：paper@casmita.com，或提供網(wǎng)盤下載地址，文件注明：2025年度十大進(jìn)展申報(bào)/推薦，逾期不予受理。
（三）時(shí)間安排：征集（9月20日-10月20日）——>初評(píng)（10月21-23日）——>終評(píng)（10月24-31日）——>發(fā)布&頒發(fā)證書（11月12日）
七、聯(lián)系咨詢
聯(lián)系人：陳老師
電話：010-82387600-616，18401540216
郵箱：paper@casmita.com
附件：2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展申請(qǐng)表、十大進(jìn)展匯報(bào)PPT模板等
掃碼下載申請(qǐng)表&PPT模板
附：2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展
（排名不分先后）
1、6-8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵中高壓電力電子器件技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破
2、垂直注入鋁鎵氮基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備
3、基于銦鎵氮紅光Micro-LED芯片的全彩顯示技術(shù)
4、高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED顯示芯片
5、氮化鎵缺陷引起的局域振動(dòng)的原子尺度可視化
6、千伏級(jí)氧化鎵垂直槽柵晶體管
7、2英寸單晶金剛石異質(zhì)外延自支撐襯底實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化
8、8英寸碳化硅材料和晶圓制造實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破
9、國產(chǎn)車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET器件實(shí)現(xiàn)新能源汽車電驅(qū)應(yīng)用
10、氮化鎵基藍(lán)光激光器關(guān)鍵技術(shù)取得產(chǎn)業(yè)化突破
——>證書示例<——
