【中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)專稿】AlGaN材料是一種重要的直接帶隙、寬能帶半導(dǎo)體材料，是研制紫外、深紫外光電器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。863計劃“高鋁組分氮化物材料制備技術(shù)研究”課題由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所承擔(dān)，參與單位包括北京大學(xué)、廈門大學(xué)、西安交通大學(xué)和廈門市三安光電科技有限公司。該課題重點開展高質(zhì)量高鋁（Al）組分氮化物材料外延制備關(guān)鍵技術(shù)研究。
第三代半導(dǎo)體材料項目管理辦公室組織專家開展了課題的中期現(xiàn)場檢查工作
第三代半導(dǎo)體材料項目管理辦公室組織專家開展了課題的中期現(xiàn)場檢查工作
2015年9月13日，第三代半導(dǎo)體材料項目管理辦公室組織專家開展了課題的中期現(xiàn)場檢查工作。課題組匯報了在AlN和AlGaN材料外延制備、摻雜、高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計與實現(xiàn)的創(chuàng)新性工作。
通過多周期中溫插入層、高低溫調(diào)制、襯底氮化處理及微米級圖形襯底等技術(shù)，降低材料的位錯密度，獲得了表面粗糙度小于0.2納米，Al組分在30-90%連續(xù)可控的AlGaN材料。在高質(zhì)量外延材料的基礎(chǔ)上，課題組成功制備出深紫外激光二極管（LD），在國內(nèi)率先實現(xiàn)波長在280 納米左右的AlGaN基深紫外激光器光泵浦激射，標(biāo)志著我國相關(guān)研究步入國際先進(jìn)行列。
通過多周期中溫插入層、高低溫調(diào)制、襯底氮化處理及微米級圖形襯底等技術(shù)，降低材料的位錯密度，獲得了表面粗糙度小于0.2納米，Al組分在30-90%連續(xù)可控的AlGaN材料。在高質(zhì)量外延材料的基礎(chǔ)上，課題組成功制備出深紫外激光二極管（LD），在國內(nèi)率先實現(xiàn)波長在280 納米左右的AlGaN基深紫外激光器光泵浦激射，標(biāo)志著我國相關(guān)研究步入國際先進(jìn)行列。
圖2 AlGaN基紫外激光器的光泵浦激射：主發(fā)光峰為288納米
