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美國NAURA-Akrion首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH：下一代半導(dǎo)體器件外延制備前期的襯底清理技術(shù)

日本德島大學(xué)周繼禹：高鋁組分的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)pH傳感器

比利時IMEC Denis MARCON：200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的電路技術(shù)

美國Transphorm高級副總裁YifengWU：擊穿電壓超過650V同時結(jié)溫超過150°C的氮化鎵功率器件

加拿大GaN Power副總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人傅玥：氮化鎵：啟動未來

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報告。

德國ALLOS Semiconductors首席技術(shù)官Atsushi NISHIKAWA分享了《通過高品質(zhì)硅基氮化鎵外延以實(shí)現(xiàn)無碳摻雜的高隔離性和高動態(tài)表...

加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了《用于增強(qiáng)型GaN功率晶體管的智能門極驅(qū)動芯片》研究報告。吳偉東，多倫多大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)...

中國科學(xué)院微電子研究所湯益丹：大電流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力電熱分析

日本福井大學(xué)教授Masaaki KUZUHARA：基于半絕緣氮化鎵襯底生長的高擊穿電壓氮化鎵HEMT器件

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)

加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明：寬禁帶器件的設(shè)計(jì)和TCAD模擬

2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中...

IFWS2019：功率電子器件及封裝技術(shù)分會Ⅰ成功召開

2019年11月24日，2019國際第三代半導(dǎo)體研修班正式開班，來自第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的3位國際知名專家就碳化硅、氮化鎵的最新技術(shù)進(jìn)...

科銳與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)孫海定和龍世兵課題組和中國科學(xué)院寧波材料所郭煒和葉繼春課題組在高襯底斜切角（4度）藍(lán)寶石襯底上成功外延...

科銳與ABB宣布SiC合作，提供汽車和工業(yè)領(lǐng)域解決方案

為了表彰和宣傳在我國第三代半導(dǎo)體事業(yè)中做出顯著業(yè)績和突出貢獻(xiàn)的青年典型，用卓越青年的精神激勵、教育和引導(dǎo)第三代半導(dǎo)體...

2019年11月7日，Micro-LED技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇于北京大學(xué)物理學(xué)院成功召開。