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- 2023-01-29 13:50廈門(mén)大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)發(fā)表GaN基Micro LED重要成果
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- 2021-12-28 08:58蘇州納米所劉建平團(tuán)隊(duì)研制國(guó)產(chǎn)GaN基綠光激光器性能再突破！
- 2021-12-24 18:09中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所唐永軍：硅襯底GaN基激光器研究進(jìn)展
- 2021-12-15 17:12南京大學(xué)許非凡：GaN基Micro-LED光源的高速可見(jiàn)光通信研究
- 2021-12-13 10:02中民研究院常務(wù)副院長(zhǎng)閆春輝博士：維持Haitz定律：超高電流密度下改善高功率GaN基LED的Droop效應(yīng)
- 2021-10-20 16:43Porotech開(kāi)發(fā)出全球首款天然紅InGaN基Micro LED顯示器，顯示面積0.55英寸
- 2021-03-19 12:04UCSB宣稱已首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基紅光Micro LED芯片
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- 2020-12-03 18:04天津工業(yè)大學(xué)于莉媛：GaN基器件電子輻照誘生缺陷表征和性能分析
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- 2020-09-18 11:30北京大學(xué)教授沈波：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件技術(shù)進(jìn)展
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- 2019-11-29 10:59中科院半導(dǎo)體所副研究員張逸韻：InGaN基超高能效LED核心材料及器件技術(shù)研究進(jìn)展
- 2019-11-29 10:10西安交通大學(xué)張敏妍：空氣腔結(jié)構(gòu)在GaN基垂直結(jié)構(gòu)LED工藝中的影響
- 2018-11-03 12:08復(fù)旦大學(xué)田朋飛教授：智能GaN基micro-LED陣列
- 2018-11-01 09:47北京大學(xué)副教授許福軍：高質(zhì)量AlN外延生長(zhǎng)及AlGaN基深紫外LED研究
- 2018-10-31 17:46北京大學(xué)馮玉霞博士：Si襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究
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- 2016-11-30 08:53戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)—“面向下一代移動(dòng)通訊的GaN基射頻器件關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)應(yīng)用”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)在深圳召開(kāi)
- 2016-11-29 08:55【SSLCHINA 2016】中微半導(dǎo)體高級(jí)工藝工程師李洪偉：大尺寸基片上生長(zhǎng)的GaN基LED和HEMT器件
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- 2016-11-22 13:32【IFWS 2016】劉揚(yáng): 基于選區(qū)外延技術(shù)制備具有高質(zhì)量MOS界面的Si襯底上凹槽柵增強(qiáng)型GaN基MOSFET
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