- 2019-12-16 09:35木林森：國內半導體光電器件制造業(yè)處較快增長態(tài)勢
- 2019-11-29 10:59中科院半導體所副研究員張逸韻：InGaN基超高能效LED核心材料及器件技術研究進展
- 2019-11-28 18:02南京電子器件研究所高級工程師張凱：一種新型毫米波氮化鎵高線性晶體管
- 2019-11-28 17:05易美芯光（北京）科技有限公司梁越：電荷轉移對量子點電致發(fā)光器件壽命的影響
- 2019-11-28 15:50河北工業(yè)大學教授張紫輝：基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析
- 2019-11-28 14:40河北半導體研究所王毅：一種采用氮化鎵MMIC和的分離FET器件的HMIC封裝技術的便攜X波段功率放大器
- 2019-11-28 14:03SSLCHINA &IFWS 2019：固態(tài)紫外器件技術分會深圳召開
- 2019-11-28 09:38德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所部門技術部門經理Peter BRüCKNER：高頻氮化鎵HEMT器件和MMIC
- 2019-11-27 20:24中國科學技術大學趙曉龍: Ga2O3半導體器件-深紫外光電探測器
- 2019-11-27 18:08西安電子科技大學教授張金風：金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展
- 2019-11-27 17:49美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH：基于碳化硅器件制造的先進化學濃度控制技術
- 2019-11-27 17:07歐司朗光電半導體（中國）有限公司銷售負責人邵嘉平：超越照明 | 光電器件技術發(fā)展現狀、突破點及應用趨勢
- 2019-11-27 17:04河北工業(yè)大學教授徐庶：低毒性量子點復合材料LED器件應用
- 2019-11-27 16:54南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌：納米模板生長和制備非/半極性面LED及Micro-LED器件
- 2019-11-27 12:06蘇州鍇威特半導體股份有限公司總裁丁國華:改進碳化硅MOSFET RONSP的器件結構和工藝研究
- 2019-11-27 11:40國家電網楊霏教授：碳化硅高壓電力電子器件及應用進展
- 2019-11-27 11:36美國NAURA-Akrion首席技術官Ismail I. KASHKOUSH：下一代半導體器件外延制備前期的襯底清理技術
- 2019-11-27 10:53比利時IMEC Denis MARCON：200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的電路技術
- 2019-11-27 10:49美國Transphorm高級副總裁YifengWU：擊穿電壓超過650V同時結溫超過150°C的氮化鎵功率器件
- 2019-11-27 10:38日本德島大學教授敖金平：常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展
- 2019-11-27 10:16中國科學院微電子研究所湯益丹：大電流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力電熱分析
- 2019-11-27 10:11日本福井大學教授Masaaki KUZUHARA：基于半絕緣氮化鎵襯底生長的高擊穿電壓氮化鎵HEMT器件
- 2019-11-27 10:03英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU：200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統(tǒng)
- 2019-11-27 10:01加拿大CROSSLIGHT半導體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明：寬禁帶器件的設計和TCAD模擬
- 2019-11-26 21:17IFWS2019：功率電子器件及封裝技術分會Ⅱ成功召開
- 2019-11-26 18:30IFWS2019：功率電子器件及封裝技術分會Ⅰ成功召開
- 2019-11-19 09:17IFWS2019丨功率電子器件及封裝技術 (GaN和SiC)論壇將于26日召開
- 2019-11-18 09:31聚飛光電擬募投7.2億元 加碼光電器件LED產品
- 2019-11-12 15:41議程出爐，“AI 智慧照明、集成元器件半導體技術研討會”即將召開
- 2019-11-02 10:16SSLCHINA & IFWS2019丨“固態(tài)紫外器件技術”論壇11月27日召開
- 2019-10-30 17:32國星光電股份有限公司白光器件事業(yè)部副總經理謝志國：LED封裝元器件新時代的技術進展及創(chuàng)新應用
- 2019-09-23 12:56GaN電力電子器件細分市場及前景分析
- 2019-09-10 09:00科銳與德爾福科技開展汽車SiC器件合作
- 2019-08-28 10:29萬億級電子元件強勢來襲，武漢國際電子元器件、材料及生產設備展覽會將于2020年舉辦
- 2019-08-19 09:40國星光電LED器件及制造方法、LED顯示模組獲專利證書
- 2019-08-08 23:24CSA、CASA“紫外光電器件培訓會”在揚州成功舉辦
- 2019-08-07 12:15關于聯盟組團赴俄羅斯參加國際紫外器件學術會議的通知
- 2019-07-20 10:59紫外光電器件培訓班開始招生啦！
- 2019-07-13 23:23第八屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國際第三代半導體專業(yè)賽·材料器件與裝備行業(yè)決賽暨第三代半導體材料裝備創(chuàng)新發(fā)展大會成功召開
- 2019-07-04 16:19關于召開紫外光電器件培訓班的通知
- 2019-06-06 09:175G通信對未來射頻器件的新要求
- 2019-05-24 17:48第31屆IEEE國際功率半導體器件與集成電路會議(ISPSD 2019)圓滿舉辦
- 2019-05-22 10:322020 武漢國際電子元器件、材料及生產設備展覽會將于明年5月在武漢盛大召開
- 2019-04-23 11:41三星發(fā)布植物照明高光子效率全光譜LED器件
- 2019-04-16 09:32兼具高亮度/高效率和長壽命紅綠藍三基色QLED器件問世
- 2019-04-08 10:02又薄又軟的半導體新材料可以制微納光電器件
- 2019-04-01 09:43士蘭微2018年營收破30億 分立器件錄得較快增長
- 2019-03-07 13:24植入LED器件，無痛心臟復蘇治療方法或能實現
- 2019-01-24 15:36【最新日程】ISPSD 2019第31屆國際功率半導體器件和集成電路會議5月召開
- 2019-01-18 10:56國星光電兩項關于LED封裝器件的發(fā)明獲專利證書
- 2019-01-10 09:24國星光電：擬10億投資新一代LED封裝器件及芯片擴產項目
- 2019-01-01 08:07ISPSD 2019 第31屆國際功率半導體器件與集成電路會議將在上海舉辦
- 2018-12-14 16:25第三屆國際紫外材料與器件會議（IWUMD-2018）在昆明成功舉辦
- 2018-12-06 09:39第三屆國際紫外材料與器件會議9日即將在昆明揭幕
- 2018-11-30 14:08第三屆國際紫外材料與器件會議將于12月9~12日在昆明召開
- 2018-11-28 14:26第三屆國際紫外材料與器件會議（IWUMD-2018）將于12月9日在昆明召開
- 2018-11-21 11:54鴻利智匯回購注銷部分白光LED器件板塊限制性股票
- 2018-11-19 09:31浙江省市場監(jiān)督管理局抽查半導體器件2批次不合格
- 2018-11-12 11:30ISPSD 2019 第31屆國際功率半導體器件與集成電路會議將在上海舉辦
- 2018-11-07 14:31第三屆國際紫外材料與器件會議（IWUMD-2018）第二輪通知
- 2018-11-07 11:00Victor VELIADIS教授：碳化硅功率器件-制造與商業(yè)化之路
- 2018-11-03 14:59株洲中車時代電氣股份有限公司副總工程師劉國友：新能源汽車用功率器件解決方案
- 2018-11-02 08:46臺灣長庚大學邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
- 2018-11-01 20:28蘇州能訊高能半導體有限公司李元：以系統(tǒng)方法實現氮化鎵射頻功率器件的高可靠性
- 2018-11-01 20:04加拿大滑鐵盧大學William WONG教授：通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質集成實現Micro-LED
- 2018-11-01 19:51廈門大學電子科學系呂毅軍教授：基于顯微高光譜成像技術的發(fā)光器件/陣列表面光熱特性分布測試
- 2018-11-01 18:50中南大學教授汪煉成：基于寬禁帶AlN的紫外光功能結構和器件
- 2018-11-01 17:41三重大學助理教授永松謙太郎：UVC-LED中應力松弛層對濺射沉積高溫退火AlN /藍寶石影響的研究
- 2018-11-01 17:36南京大學蘇琳琳：4H-SiC紫外雪崩光電探測器的雪崩不均勻性研究
- 2018-10-31 18:20重慶大學教授葉懷宇：納米銅用于功率半導體封裝的工藝研究
- 2018-10-31 18:12天津大學材料科學與工程學院教授陸國權：電動汽車用平面型雙面水冷碳化硅模塊的封裝關鍵技術
- 2018-10-31 18:04法國國家科學研究中心(CNRS)科學家Cyril BUTTAY：10 kV SiC MOSFET封裝之電氣和熱性能之間的權衡
- 2018-10-31 08:23國內外專家齊聚 共研碳化硅材料與電力電子器件新進展——IFWS 2018：碳化硅材料與電力電子器件分會精彩分享
- 2018-10-30 15:38第三屆國際紫外材料與器件會議（IWUMD-2018）通知
- 2018-10-30 15:04南京大學劉斌教授：氮化鎵微/納米LED與量子點混合結構的高品質白光器件
- 2018-10-27 13:45聚焦固態(tài)紫外器件技術新進展
- 2018-10-26 17:40IFWS2018：功率器件封裝與應用分會深圳召開
- 2018-10-26 15:24IFWS 2018：氮化鎵功率電子器件技術分會在深圳召開
- 2018-10-26 12:43Eyelove｜國星光電重磅發(fā)布健康照明LED器件新品牌
- 2018-10-19 08:45IFWS 2018：碳化硅材料與電力電子器件分會重磅來襲
- 2018-10-18 10:51國星投2900萬，購置設備實施顯示屏器件項目擴產
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- 2018-10-10 16:42前景廣闊 看碳化硅材料與電力電子器件技術的“花式”進展
- 2018-10-08 11:26科銳推出更高光效版90 CRI COB器件組合
- 2018-09-28 14:28【征文】ISPSD 2019 第31屆國際功率半導體器件和集成電路會議將在上海舉辦
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- 2018-08-09 08:19科銳Wolfspeed推出首個滿足汽車AEC-Q101標準的SiC半導體器件系列
- 2018-07-03 11:03新能源汽車用第三代半導體器件檢測及標準研討會在張家港召開
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- 2017-11-22 13:51韓國嶺南大學教授Ja-soon JANG：GaN基LED器件可靠性特性分析方法
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- 2017-11-09 10:54科銳中國市場推廣部總監(jiān)林鐵：大功率LED和COB器件技術發(fā)展
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- 2017-11-07 10:09日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA：用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長
- 2017-11-06 15:18桂林電子科技大學機電工程學院院長楊道國：納米銀漿料加壓燒結封裝功率器件研究
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- 2017-11-02 15:51瑞典查爾姆斯理工大學副教授Jie SUN：GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進展
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- 2017-07-07 08:55碳化硅功率器件時代來臨，基本半導體亮相PCIM Asia
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- 2017-01-23 10:19第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關鍵技術
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- 2017-01-16 09:292020年我國電力電子器件市場將超5000億元 做強功率半導體產業(yè)成當務之急
- 2017-01-16 09:15丁榮軍：汽車功率半導體器件的發(fā)展趨勢
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- 2016-12-08 08:53晶科電子：2016年業(yè)績高漲 投資新公司涉足大功率半導體
- 2016-11-30 08:53戰(zhàn)略性先進電子材料重點專項—“面向下一代移動通訊的GaN基射頻器件關鍵技術及系統(tǒng)應用”項目啟動會在深圳召開
- 2016-11-30 08:52戰(zhàn)略性先進電子材料重點專項—“第三代半導體紫外探測材料及器件關鍵技術”項目啟動會在南京召開
- 2016-11-30 08:39戰(zhàn)略性先進電子材料重點專項—“高品質全光譜無機半導體照明材料、器件與燈具產業(yè)化制造技術”項目啟動會在天津召開
- 2016-11-29 08:55【SSLCHINA 2016】中微半導體高級工藝工程師李洪偉：大尺寸基片上生長的GaN基LED和HEMT器件
- 2016-11-22 13:02【IFWS 2016】陳敬: 詳解氮化鎵功率器件MIS門結構的穩(wěn)定性和可靠性
- 2016-11-22 13:00【IFWS 2016】江川孝志: 200毫米硅襯底AlGaN/GaN基HEMT的異質外延生長和器件特征
- 2016-11-22 12:55【IFWS 2016】張翼: La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的氮化鎵增強型HEMT器件
- 2016-11-21 08:39【IFWS 2016】孔月嬋：fT > 260 GHz時高性能超薄第四組InAlGaN勢壘HEMT器件
- 2016-11-21 08:37【IFWS 2016】呂元杰: 采用凹柵工藝提升AlGaN/GaN HFETs器件性能
- 2016-11-21 08:30【IFWS 2016】邱顯欽: 用SOI氮化鎵基板技術的高性能開關電源和頻射功率器件
- 2016-11-21 08:26【IFWS 2016】David Lishan: 氮化鎵基器件采用等離子切割的生產效益
- 2016-11-21 08:12【IFWS 2016】綦振瀛: 射頻通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生長
- 2016-11-19 15:40【IFWS 2016】河北半導體研究所王元剛：加速推動GaN器件在無線通訊系統(tǒng)中的產業(yè)化應用
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- 2016-11-19 10:04【IFWS 2016】周達成: 高電壓碳化硅功率器件的研究進展
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